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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M29W160EB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 3100 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAWP-AIT：D TR -
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
M29W256GL70N6E Micron Technology Inc. M29W256GL70N6E -
RFQ
 ECAD 1131 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MTFC32GJGDQ-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjgdq-ait tr -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT46V64M8P-75:D Micron Technology Inc. mt46v64m8p-75：d -
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADBDAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT48LC4M16A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75：g -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT48LC4M16A2P75G ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 AUT：B TR 37.9050
RFQ
 ECAD 7461 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 512m x 64 平行 18ns
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT -
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MTFC16GAPALBH-IT Micron Technology Inc. mtfc16gapalbh-it -
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-ITS：F TR -
RFQ
 ECAD 2271 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCBBH2-12：b -
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
EDBM432B3PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBM432B3PF-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 9151 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA EDBM432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 平行 -
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 IT：B TR -
RFQ
 ECAD 4401 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AAT：G TR 2.7962
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 24-tbga MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT53D4DCSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DCSB-DC -
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
MTFC32GAPALBH-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gapalbh-it es tr -
RFQ
 ECAD 7336 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
M29F400FB55M32 Micron Technology Inc. M29F400FB55M32 -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 240 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MTFC64GBCAQTC-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqtc-aat tr 24.5000
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC64GBCAQTC-AATTR 2,000
N25Q256A33EF840F Micron Technology Inc. N25Q256A33EF840F -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A33 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A IT：G TR 5.7300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MTFC32GALAJAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc32galajam-wt tr -
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ - - mtfc32g フラッシュ -ナンド - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT48LC16M8A2P-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A：L -
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 12ns
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12Z：TR -
RFQ
 ECAD 1886年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J512M8RA-15E IT：d -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA（10.5x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 4gbit 13.5 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT40A512M8RH-083E:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E：b -
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT46V32M16TG-75 L:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 L：c -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AITX：E TR 5.1300
RFQ
 ECAD 642 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT46H16M16LFBF-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6 IT：a -
RFQ
 ECAD 8252 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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