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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR | 19.6100 |  | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT53D384M16D1NP-046 XT ES：D | - | | 7802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 6gbit | ドラム | 384m x 16 | - | - | ||||||||
 | MT29F128G08AMAAAC5-Z：a | - | | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| mt4a2g8nre-83e：b tr | - | | 8709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT4A2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||
 | MT53E768M32D4DT-053 WT：e | 23.6850 | | 3661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E768M32D4DT-053WT：e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||
 | MT29F512G08CMCBBH7-6ITR：b | - | | 6520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53B512M64D4TX-053 WT ES：c | - | | 4399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR | - | | 1346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
| M29W128GH7AZA6E | - | | 3844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F4G01ADAGDSF-IT：G TR | - | | 2132 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F4G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | ||||
| MT62F1G16D1DS-023 IT ES：b | 12.5550 | | 9283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G16D1DS-023ITE：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | ||||||||
| N25Q008A11ESC40FS03 TR | - | | 5345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | N25Q008A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 8ms、5ms | |||
| JR28F064M29EWHB TR | - | | 4216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JR28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| M29F160FB5AN6E2 | - | | 2731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F160 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 55 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | MT29F2G08ABAEAH4：e | - | | 2848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46H64M16LFBF-5 IT：B TR | 8.6500 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H64M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | M29W160EB70N6F TR | - | | 3100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F4G16ABADAWP-AIT：D TR | - | | 1710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | M29W256GL70N6E | - | | 1131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT47H128M8CF-187E：H TR | - | | 8740 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | mtfc32gjgdq-ait tr | - | | 7280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | mt46v64m8p-75：d | - | | 5808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53B384M32D2NK-062 WT ES：b | - | | 6937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||||
| MT29F8G16ADBDAH4-IT：d | - | | 2131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC4M16A2P-75：g | - | | 2332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT48LC4M16A2P75G | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | |
| MT53E512M64D2HJ-046 AUT：B TR | 37.9050 | | 7461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT | - | | 2658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | mtfc16gapalbh-it | - | | 6656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
| MT29F4G08ABAFAWP-ITS：F TR | - | | 2271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F64G08AKCBBH2-12：b | - | | 5057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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