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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F128G8CBECBH6-12：C Tr | - |  | 2946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G8 | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||
 | MT25QU01GBBB1EW9-0SIT TR | 13.1400 | | 8954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QU01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT29F256G08CMCABH2-10Z：a | - | | 4288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT40A512M16HA-083E IT：a | - | | 6927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT47H256M8EB-25E：c | 14.3400 | | 121 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,320 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT41K512M8RH-107：e | - | | 3924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT29F512G08CMCCBH7-6R：c | - | | 6368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29AZ5A5CHGSQ-18AIT.87U | 13.6350 | | 4506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | アクティブ | mt29az5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18AIT.87U | 1,440 | |||||||||||||||||
| MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R | - | | 2356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt29tzzz5 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||
| MT40A2G8JC-062E IT：E TR | - | | 5736 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT40A2G8JC-062EIT：ETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V128M4FN-75Z：D TR | - | | 3196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | N25Q032A13E1241F TR | - | | 6417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT53B512M16D1Z11MWC2 MS | - | | 1385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | sicで中止されました | MT53B512 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR | - | | 4531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT42L64M64D2LL-18 IT：C Tr | - | | 2738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
| M29W800FT70N3F TR | - | | 2543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
| JR28F032M29EWTA | - | | 5123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JR28F032M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| EDF8164A3PF-JD-FR TR | - | | 2105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | |||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AUT：C TR | 103.8600 | | 6961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AUT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT52L256M64D2LZ-107 WT：b | 31.9800 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
 | M28W320HST70ZA6F TR | - | | 1858年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M28W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT42L256M32D4KP-25 IT：a | - | | 3155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | MT42L256M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT53B128M32D1NP-062 AIT：a | - | | 5149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
| MT53B384M64D4NH-062 WT：B TR | - | | 2993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 272-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
 | mt46v64m8p-6t：d | - | | 6250 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT52L1G32D4PG-093 WT ES：b | - | | 2029 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 178-VFBGA | MT52L1G32 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA（12x11.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 1067 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||||
 | M25P40-VMN3TPB TR | - | | 8712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT29F16G16ADBCAH4：c | - | | 5564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F16G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 1g x 16 | 平行 | - | ||||
| MT46V128M4TG-75E：D Tr | - | | 7090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT47H256M8THN-25E：M TR | - | | 2739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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