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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mt53d8dbnw-dc | - |  | 8999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | sicで中止されました | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| mt53b4danj-dc | - | | 5042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT：h | - | | 1083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT47H64M8SH-25E AAT：H TR | - | | 3819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT48H8M16LFB4-6：k | - | | 2301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29E2T08CUHBBM4-3：B TR | - | | 6737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | - | - | MT29E2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT49H8M36SJ-5：b | - | | 1310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||
 | M29W160ET70ZA6E | - | | 1772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT53D512M64D4RQ-053 WT：e | 49.0500 | | 8896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
 | M25PE80-VMP6G | - | | 8340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PE80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12：B TR | - | | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| EDFA112A2PF-GD-FD | - | | 4861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 128m x 128 | 平行 | - | ||||
| M36W0R6050T4ZAQF TR | - | | 2280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | M36W0R6050 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | |||||||||||||||||
 | MT29F1T08CPCABH8-6：a | - | | 6870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 152-lbga | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
| N2M400GDB321A3CE | - | | 6109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | N2M400 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 52 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT51K256M32HF-60 N：b | - | | 9555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | MT51K256 | sgram -gddr5 | 1.3V〜1.545V | - | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||||
 | MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR | - | | 9631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
| MT29F4T08CTHBBM5-3R：b | - | | 3227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | - | - | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT53B512M64D4NW-062 WT：d | - | | 7440 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
| M36W0R6050B4ZAQE | - | | 3930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36W0R6050 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 253 | |||||||||||||||||
 | MT29F64G08CBCGBJ4-5M：g | - | | 5802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
 | M29F800FT5AN6E2 | - | | 4206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
| MT29F384G08EBCBBJ4-37ES：B Tr | - | | 7722 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F384G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 384gbit | フラッシュ | 48g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F4G08ABAEAH4-S：e | - | | 7765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT58L64L18DT-7.5TR | 7.0500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 揮発性 | 1mbit | 4.2 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | |||
| EDFA164A2PK-GD-FD | - | | 3403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
 | MT29F8G16ABACAWP-IT：c | - | | 6494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29F2G08ABAEAWP：E Tr | 3.8500 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT35XU256ABA2G12-0AUT TR | 7.3500 | | 5329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT35XU256ABA2G12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||
| MTFC8GACAAAM-1M WT | - | | 6189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mtfc8 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,520 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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