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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-5 IT：B TR -
RFQ
 ECAD 5003 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MTFC128GAPALBH-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gapalbh-ait -
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜85°C（タタ MTFC128 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC128GAPALBH-AIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT62F2G32D4DS-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 WT：B TR 45.6900
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-026WT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT58L128L32P1F-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1F-10 7.5200
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 5 ns sram 128k x 32 平行 -
MT35XU512ABA1G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0AUT 15.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT35XU512ABA1G12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
EMFA232A2PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ EMFA232 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT29F4T08ELLCHL4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08ELLCHL4-QA：C Tr 83.9100
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08ELLCHL4-QA：CTR 2,000
M25P64-VMF6TPBA TR Micron Technology Inc. M25P64-VMF6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 1924年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A IT：L 8.0250
RFQ
 ECAD 9605 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,560 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT62F1G64D4ZV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-026 WT：b 37.2450
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 1.05V - - 557-MT62F1G64D4ZV-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MTFC512GAXATAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc512gaxatam-wt tr 54.1800
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） - 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC512GAXATAM-WTTR 2,000 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 UFS -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X：B TR -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT：B TR 36.0000
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT：BTR 2,000
MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 1870年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AIT：E TR -
RFQ
 ECAD 9697 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E768M32D4DT-046AIT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT62F768M64D4EJ-031 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 AUT：A TR 118.2000
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT62F768 - 影響を受けていない 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT：ATR 1,500
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES：D Tr -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MTFC256GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. mtfc256gasaons-it tr 86.7900
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC256GASAONS-ITTR 2,000
M29W128GL7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL7AZS6F TR -
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
M29F400FB55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 9322 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT53D384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53B128M32D1Z00NWC2 Micron Technology Inc. MT53B128M32D1Z00NWC2 -
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MTFC4GMDEA-R1 IT Micron Technology Inc. mtfc4gmdea-r1 it -
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,520 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075：E TR 6.0000
RFQ
 ECAD 9675 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT40A512M8Z90BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M8Z90BWC1 -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 MT40A512 - 廃止 1
MT40A512M16LY-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AIT：e 9.2250
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M16LY-062EAIT：e ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT41K1G4RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K1G4RG-107：n -
RFQ
 ECAD 7526 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MT55L256V32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT55L256V32PT-7.5 8.9300
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT55L256V sram- zbt 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 8mbit 4.2 ns sram 256k x 32 平行 -
MT29F2T08GELCEJ4-QM:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QM：C Tr 39.0600
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QM：CTR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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