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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
MT29F4G08ABAEAH4-S:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-S：e -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT58L64L18DT-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-7.5TR 7.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
EDFA164A2PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-GD-FD -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT29F8G16ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAWP-IT：c -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP：E Tr 3.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT35XU256ABA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AUT TR 7.3500
RFQ
 ECAD 5329 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT35XU256ABA2G12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
MTFC8GACAAAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GACAAAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mtfc8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1,520
MT51K256M32HF-50 N:A TR Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-50 N：A TR -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT51K256 sgram -gddr5 1.3V〜1.545V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 1.25 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-053 WT：b -
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
M29F400BT70N1 Micron Technology Inc. M29F400BT70N1 -
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
JS28F00AP30TFA Micron Technology Inc. JS28F00AP30TFA -
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 110ns
MT58L64L32PT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-10 1.7900
RFQ
 ECAD 204 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 2mbit 5 ns sram 64k x 32 平行 -
MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 WT：D TR 7.7400
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53D512M16D1DS-046WT：DTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 - -
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-053 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 2648 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT46V128M4P-6T:F TR Micron Technology Inc. mt46v128m4p-6t：f tr -
RFQ
 ECAD 3260 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT41K512M4DA-125:K TR Micron Technology Inc. MT41K512M4DA-125：K Tr -
RFQ
 ECAD 3239 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 512m x 4 平行 -
MT40A1G16KH-062E AIT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AIT：E TR 15.6150
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x13） ダウンロード 557-MT40A1G16KH-062EAIT：ETR 3,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 ポッド 15ns
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08888888888888888-AATX：D Tr 5.4563
RFQ
 ECAD 5965 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT62F2G32D4DS-026 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT ES：b 63.8550
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-026AATE：b 1 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A AAT：L TR -
RFQ
 ECAD 3565 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MTFC256GAZAOTD-AAT Micron Technology Inc. mtfc256gazaotd-aat 99.5850
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC256GAZAOTD-AAT 1
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10M：B TR -
RFQ
 ECAD 3932 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109 Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109 9.3900
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt29az5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AAT.109 1,440
MTFC128GAOALEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc128gaoalea-wt tr -
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 557-MTFC128GAOALEA-WTTR 廃止 2,000
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 死ぬ MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 廃止 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D384M64D4SB-046 XT ES：e -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCGBJ4-37R：g -
RFQ
 ECAD 7501 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT35XU02GCBA1G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA1G12-0AUT 45.1100
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT35XU02GCBA1G12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT49H16M18BM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-25 IT：b -
RFQ
 ECAD 1423 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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