- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PC28F128M29EWHG | - |  | 7306 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT38W2011A90YZQXZI.x68 | - | | 5920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | MT38W2011 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,518 | |||||||||||||||||
 | mt58v1mv18ft-7 | 23.5000 | | 53 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||||
 | MT47H128M4CB-37E：b | - | | 9980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H128M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 512mbit | 500 PS | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V8M16TG-75：d | - | | 4509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V8M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 750 PS | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mt29tzzz5d6dkfrl-107 w.9a6 tr | - | | 7598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29tzzz5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
 | PC28F512M29EWHE TR | - | | 8885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 100ns | |||
 | PC28F320J3F75B TR | - | | 4714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 32mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 75ns | |||
| MT49H16M18FM-25 IT：B TR | - | | 6208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 18 | 平行 | - | ||
| MT51J256M32HF-80：b | - | | 8979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V | 170-FBGA（12x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| mtfc128gaxauea-wt | 14.0250 | | 1322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC128GAXAUEA-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT48LC64M8A2P-75：C Tr | - | | 6711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC64M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D1536M32D6BE-053 WT：d | - | | 5409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1536 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | - | - | |||
 | MT29F8G01ADBFD12-IT：F Tr | - | | 1466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F8G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F8G01ADBFD12-IT：FTR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 8g x 1 | spi | - | |||
| MT41K1G4RH-125：E TR | - | | 9810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | ||
| RC28F00AM29EWLA | - | | 8574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | RC28F00 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 100ns | |||
| MT40A256M16LY-062E AUT：F TR | 14.9700 | | 6659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | 557-MT40A256M16LY-062EAUT：FTR | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
| MT46H256M32L4LE-48 WT：c | - | | 5398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-TFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 208 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 14.4ns | ||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：a | 14.3400 | | 8045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：a | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M25PX64-VME6TG TR | - | | 1959年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | M29W800DB45ZE6E | - | | 3833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1,122 | 不揮発性 | 8mbit | 45 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 45ns | |||
| mt46v64m8p-75z：d | - | | 9030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F512G08EMCBBJ5-6：b | - | | 9114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 167 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E1G64D4HJ-046AAT：a | 63.1350 | | 8213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：a | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H128M8SH-187E：m | - | | 8463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,518 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D384M64D4KA-046 XT ES：e | - | | 3948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,140 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | ||||||||
| MT29F2T08CUCBBK9-37：b | - | | 6772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
 | N25Q512A13GSF40G | - | | 5836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-1577-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||
| RC28F128P33T85A | - | | 3644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| mt53d4dcsb-dc tr | - | | 9465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）