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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q128A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESE40G -
RFQ
 ECAD 3515 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q6985588 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECABH1-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 6156 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
M25P16-VMN3TP/4 TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN3TP/4 TR -
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 Micron Technology Inc. Forté™ カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT：b 19.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-053AIT：b ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 -
RFQ
 ECAD 8292 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT29F1G16ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAHC：e -
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2MC-6 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 240-WFBGA MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 240-WFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 15ns
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR Micron Technology Inc. mt46h8m16lfbf-6 at：k tr -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MTFC4GACAAAM-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC4GACAAAM-1M WT TR -
RFQ
 ECAD 3053 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mtfc4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000
M29DW641F60ZE6E Micron Technology Inc. M29DW641F60ZE6E -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29DW641 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 4m x 16 平行 60ns
MT29F64G08CBCABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-10Z：a -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M29W128FL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128FL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M32L2CG-5 IT：A TR -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 152-VFBGA（14x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT28F800B3WG-9 BET Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9ベット -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-031 RF WT：b 27.9300
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ MT62F768 - 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT：b 1
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A IT：L TR 8.0250
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT44K32M36RB-093F:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-093F：a -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.066 GHz 揮発性 1.125Gbit 7.5 ns ドラム 32m x 36 平行 -
MTFC4GLGDQ-AIT Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait -
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AUT：e -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10ITZ：a -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT51J256M32HF-70:B Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-70：b -
RFQ
 ECAD 8825 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MTFC8GAKAJCN-4M IT Micron Technology Inc. mtfc8gakajcn-4m it -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53B256M64D2NV MS TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV MS Tr -
RFQ
 ECAD 7142 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT41J128M16HA-187E:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-187E：d -
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10：C Tr -
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT62F2G32D4DS-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AAT：b 63.8550
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023AAT：b 1 4.266 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT62F2G32D4DS-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT：B TR 58.0650
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G0808ABAFAWP-AITES：F Tr -
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CWCCBJ7-12：C Tr -
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
PC28F512M29EWHF Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHF -
RFQ
 ECAD 1723 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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