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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W800DB45ZE6E | - |  | 3833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1,122 | 不揮発性 | 8mbit | 45 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 45ns | |||
 | MT46V32M16BN-5B：F Tr | - | | 3802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z：a | - | | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT46H128M32L2MC-6 WT：B TR | - | | 9801 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 240-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 240-WFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT47H128M8SH-187E：m | - | | 8463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,518 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H256M32L4LE-48 WT：c | - | | 5398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-TFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 208 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 14.4ns | ||
| MT53D1G64D8S Q-053 WT ES：e | - | | 7815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 556-VFBGA | MT53D1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 556-VFBGA（12.4x12.4 | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||||
 | MT41K64M16TW-107：J TR | 5.0100 | | 8 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT53D512M32D2DS-046 WT：d | - | | 4591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53D512M32D2DS-046WT：d | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
| MT46H32M32LFT68MWC2 | - | | 7901 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | |||||||||||
 | MT29F128G08 CUREDBJ4-12IT：D TR | - | | 3137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT47H256M8THN-3 IT：h | - | | 1591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F2G16ABBGAH4-AAT：G TR | 2.7665 | | 9629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT：GTR | 2,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | |||||
 | MT46V32M16P-5B IT：F TR | - | | 7738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mtedfae4sca-1p2 | - | | 3466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | アクティブ | mtedfae4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 150 | |||||||||||||||||
 | MT46V32M8FG-6 L：g | - | | 7226 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-fbga （8x14） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A512M8RH-083E AUT：B TR | - | | 8613 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F32G08CBACAL73A3WC1L | 4.4300 | | 8409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1 | 不揮発性 | 32gbit | 20 ns | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | 20ns | |||||
 | MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR | 8.4750 | | 1157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | MT25QU512ABB8ESF-0SIT TR | 10.7200 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT29F2G16ABAEAWP-IT：E TR | - | | 8187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
 | mtfc8gluea-wt tr | - | | 3563 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT48LC16M16A2BG-75：d | - | | 9512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA （8x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT28F400B5SG-8ベット | - | | 3407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
 | MT57V1MH18EF-5 | 23.0000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 2.4V〜2.6V | 165-FBGA | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||||
| mtfc64gapakea-wt es tr | - | | 3129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-wfbga（11.5x13 | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES：D | - | | 2070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
 | MT44K32M18RB-093E：b | - | | 6253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M18 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,190 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
| MT53B768M64D8WF-062 WT ES：D TR | - | | 1004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||||
| N25Q032A13EV740 | - | | 9325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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