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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 廃止 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT：d 23.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT28F800B5WP-8 T TR Micron Technology Inc. mt28f800b5wp-8 t tr -
RFQ
 ECAD 4145 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
MTFC16GJDEC-4M IT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-4M IT -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-WFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-WFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ADADAH4-IT：D TR 9.4500
RFQ
 ECAD 9993 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G Micron Technology Inc. MT29F4G01ADAGDWB-IT：g -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
NAND128W3A0BN6F TR Micron Technology Inc. NAND128W3A0BN6F TR -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F2T08EMHBFJ4-R:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHBFJ4-R：B TR -
RFQ
 ECAD 7413 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ-Nand （TLC） 1.7V〜1.95V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2T08EMHBFJ4-R：BTR 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT28EW256ABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HPC-1SIT -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
M25PE20-V6D11 Micron Technology Inc. M25PE20-V6D11 -
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M25PE20 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、3ms
MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA3G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
M29W800DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 AIT：C Tr 6.9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
NAND512R3A2SE06 Micron Technology Inc. NAND512R3A2SE06 -
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT53D4DFSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DFSB-DC -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT58L64L36DT-7 Micron Technology Inc. MT58L64L36DT-7 5.5100
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 2mbit sram 64k x 36 平行 -
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR 6.8100
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
MT46V32M16CV-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16CV-5B IT：J -
RFQ
 ECAD 9093 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC32GAOALEA-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gaoalea-wt es tr -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mtfc32g - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT53D8DAHR-DC Micron Technology Inc. mt53d8dahr-dc -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 366-WFBGA mt53d8 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム - -
EDFA364A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA364A3MA-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - EDFA364 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT53D384M64D4NY-046 XT ES:D Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NY-046 XT ES：D -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AATES：g 5.4935
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
JR28F064M29EWHA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWHA -
RFQ
 ECAD 2007年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT29F256G08CECABH6-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6：TR -
RFQ
 ECAD 1857 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT51K256M32HF-50 N:A Micron Technology Inc. MT51K256M32HF-50 N：a -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT51K256 sgram -gddr5 1.3V〜1.545V - - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,260 1.25 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT：b -
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT48H8M16LFB4-6:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-6：k -
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：TR 38.9700
RFQ
 ECAD 5954 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES：ATR 8542.32.0071 2,000 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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