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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC16M16A2B4-6A XIT：g | - |  | 4201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR | 25.0350 | | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR | - | | 3561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAH4-E：e | - | | 9718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT46H32M16LFCK-6 TR | - | | 7697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT55L256L18P1F-10 | 5.5100 | | 149 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
 | MT53E256M32D2DS-046 IT：b | 16.2000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-046IT：b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT35XL256ABA1GSF-0AAT | - | | 6890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | MT35XL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | |||||
| MT29F6T08ETHBBM5-3R：b | - | | 4359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F6T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 6tbit | フラッシュ | 768g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29C2G24MAAAAHAKC-5 IT | - | | 4611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | MT29C2G24M | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-053 WT ES：a | - | | 9425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES：B TR | 90.4650 | | 9393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES：BTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F1G16ABBEAH4：e | - | | 7559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29E128G08CECDBJ4-6：D TR | - | | 1164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29E128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT53E1G32D2FW-046AAT：C Tr | - | | 6418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1G32D2FW-046AAT：CTR | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| M29W128GL90N6E | - | | 1419 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
 | MT53E1G64D4NW-046 WT：c | 47.0400 | | 3314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 表面マウント | 432-VFBGA | mt53e1 | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E1G64D4NW-046WT：c | 1,360 | ||||||||||||||
 | MT58L512L18PT-10 | - | | 6829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 8mbit | 5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
 | MT49H32M18CSJ-25E IT：b | - | | 6589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | MT25QU02GCBB8E12-0SIT | 34.7400 | | 643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT58L64L18DT-10TR | 7.0500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 揮発性 | 1mbit | 5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | |||
 | MT53E512M32D2NP-046 WT：F TR | - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D2NP-046WT：FTR | 廃止 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | M25PX80-VMP6TG0Y TR | - | | 6181 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | MTFC32GJWEF-4M AIT Z | - | | 3086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT40A256M16GE-083E AUT：B TR | - | | 3313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F256G08AMEBBH7-12：B TR | - | | 2728 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.5V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| MT52L256M64D2PP-107 WT：b | - | | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 253-VFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA （11x11.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,890 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||||
 | M25P16-VMP6TG TR | - | | 1911年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| MT53B768M64D8NK-053 WT ES：D TR | - | | 5027 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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