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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AIT：c -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
JS28F00AM29EWHA Micron Technology Inc. JS28F00AM29EWHA -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AM29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 110ns
M28W160CB70N6E Micron Technology Inc. M28W160CB70N6E -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8D Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8d -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
MT48H16M32L2B5-8 IT Micron Technology Inc. MT48H16M32L2B5-8 IT -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 512mbit 7.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B AIT：J TR -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCDBJ6-6R：D TR -
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M29F800FT5AM6F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FT5AM6F2 TR -
RFQ
 ECAD 6192 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT41J256M16HA-093:E TR Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093：E Tr -
RFQ
 ECAD 2526 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MTFC32GJVED-4M IT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-4m it -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT48LC16M8A2BB-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2BB-6A AIT：L -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA （8x16 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 12ns
MTFC64GASAQHD-AIT Micron Technology Inc. mtfc64gasaqhd-ait 28.4400
RFQ
 ECAD 2415 0.00000000 Micron Technology Inc. AEC-Q104 箱 アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC64GASAQHD-AIT 1 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC_5.1 -
MT40A512M16AD-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16AD-062E AUT：e 11.6400
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ ダウンロード 557-MT40A512M16AD-062EAUT：e 1
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-187E：c -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 350 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
MTFC32GLXDI-WT TR Micron Technology Inc. mtfc32glxdi-wt tr -
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
PC28F128J3D75B TR Micron Technology Inc. PC28F128J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MT29F2T08EMLKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLKEM4-ITF：K Tr 64.8000
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF：KTR 2,000
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046AAT：a 8.7450
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT：a 1 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 平行 18ns
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2FF4-7E：G TR -
RFQ
 ECAD 5184 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT48LC8M8A2TG-7E L:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-7E L：g -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 14ns
MT35XL256ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA1G12-0AAT -
RFQ
 ECAD 7946 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク 前回購入します -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga MT35XL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
MT28F800B3SG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9テット -
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 ECAD 6772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AIT：B TR 14.0850
RFQ
 ECAD 4491 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046AIT：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A IT：L -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,440 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MT53E512M64D2NW-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2NW-046 IT：b -
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 432-VFBGA MT53E512 432-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M64D2NW-046IT：b 1,360
MT29F64G08CBAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAWP：TR -
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
EDW2032BBBG-7A-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-7A-FD -
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,440 1.75 GHz 揮発性 2Gbit ラム 64m x 32 平行 -
M29F200BB70N6 Micron Technology Inc. M29F200BB70N6 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C -
RFQ
 ECAD 2014年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29vzzzad8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U -
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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