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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E256M32D2DS-053 AIT：b | 19.2500 |  | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-053AIT：b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT29F128G08CFCGBWP-10M：g | - | | 5732 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 100 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT53D1024M32D4DT-053 AIT：d | 35.5500 | | 6354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
 | MT62F768M64D4ZU-031 RF WT：b | 27.9300 | | 9743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT：b | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT48LC8M16A2B4-6A IT：L TR | 8.0250 | | 6776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT29F32G08AECCBH1-10：C Tr | - | | 8057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E512M32D2NP-053 RS WT：H TR | 8.4000 | | 5838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：HTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08GELCEJ4-QB：c | 39.0600 | | 1867年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08GELCEJ4-QB：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT47H128M16PK-25E IT：c | - | | 1288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （9x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| MT53B1G64D8NW-062 WT ES：D TR | - | | 6302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53B1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||||
 | MT29F2G16ABBGAH4-AATE：g | 5.4935 | | 8527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G16 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | |||||
| MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 | - | | 2824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| M29W640GB60ZA6E | - | | 1849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
| MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R | 8.1100 | | 1467 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT ES：D TR | - | | 5498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| mt41dc11tw-v88a tr | - | | 7892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt41dc | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | ||||||||||||||||
| MTFC64GBCAQTC-WT | 35.1800 | | 3604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTFC64GBCAQTC-WT | 1,520 | |||||||||||||||||||
 | mtfc128gajaedn-it | 114.0000 | | 5401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||
| MT53B1024M32D4NQ-053 WT：c | - | | 6005 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
 | MT25QU256ABA8E55-0SIT TR | 6.4700 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 23-XFBGA 、WLBGA | MT25QU256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 23-xfwlbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT46H64M32L2CG-5 IT：A TR | - | | 8389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 152-VFBGA（14x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E768M32D2FW-046 WT ES：C TR | 24.0600 | | 6456 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E768M32D2FW-046WTES：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | M29W128FL70ZA6E | - | | 8587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT28F800B3WG-9ベット | - | | 1677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F800B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||
 | mtfc16gakaeef-ait | - | | 5962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT41J64M16JT-15E AIT：g | - | | 2344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F512G08CKEABH7-12IT：TR | - | | 9080 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M45PE20-VMN6P | - | | 3045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M45PE20 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -M45PE20-VMN6P | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 15ms、3ms | ||
| MT62F2G32D4DS-023 AIT：B TR | 58.0650 | | 7069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT51J256M32HF-70：b | - | | 8825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V | 170-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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