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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H256M4B7-37E：a | - |  | 8448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F256G08EBHAFB16A3WTA | - | | 2267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29F1G01ABBFDM78A3WC1 | - | | 6569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 死ぬ | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | |||||
| mtfc2gmuea-wt tr | - | | 5451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc2g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E128M32D2DS-053 WT：TR | 6.5700 | | 6912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-053WT：ATR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
| MT29F8T08GULBEM4：B TR | - | | 5305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | MT29F8T08 | - | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F8T08GULBEM4：BTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||
| MT47H256M4B7-5E：a | - | | 3512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 600 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT25QU128ABA8E14-1SIT TR | - | | 3105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT25TL256BAA1ESF-0AAT | - | | 7409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
 | MT53E768M32D4DT-053 WT：E TR | 23.6850 | | 3060 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E768M32D4DT-053WT：ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||
 | MT29F16G08DAAWP-ET：A TR | - | | 9237 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F8G0808ADAFAWP-AITES：f | - | | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
 | MT29F256G08CMAAAC5：TR | - | | 2252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT61K256M32JE-12：TR | - | | 5935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | MT61K256 | sgram -gddr6 | 1.31V〜1.39V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
 | MT29F1T208ECHBBJ4-3RES：B TR | - | | 1269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T208 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.125tbit | フラッシュ | 144g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT48H8M32LFB5-6：h | - | | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F1T08EMHAFJ4-3R：TR | - | | 8071 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT53D768M64D8WF-053 WT：D TR | - | | 5251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||
 | MT48LC8M16A2P-7E：L | - | | 6962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 14ns | ||
| MT53E512M64D4NK-053 WT：D TR | - | | 5442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E512M64D4NK-053WT：DTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||
| MT48LC16M16A2P-6A AAT：g | - | | 6401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 | - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 221-WFBGA | mt29tzzz8 | フラッシュnand、dram -lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 221-wfbga（13x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6 | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 933 MHz | 不揮発性、揮発性 | 128GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） | フラッシュ、ラム | 16g x 8 | MMC 、LPDRAM | - | |||
| MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V | - | | 2263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
| MT29F256G08CMHGBJ4-3R：G TR | - | | 3990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F64G08AECABJ1-10Z：TR | - | | 7864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC32M8A2FB-7E：D TR | - | | 4256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-FBGA （8x16） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 14ns | ||
| MT53E768M64D4HJ-046 AIT：a | - | | 3796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：a | 廃止 | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | |||||
 | MT29F512G08CUCABH3-10：TR | - | | 2615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53B512M64D4NZ-062 WT：d | - | | 8095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
| MT48LC128M4A2P-75：c | - | | 6167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC128M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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