画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M25P64-VMF6G | - | ![]() | 1660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | M25P64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 50 | 50 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | mt53e2d1bfw-dc | 22.5000 | ![]() | 7324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e2 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2D1BFW-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F128G08AMCDBL1-6:D TR | - | ![]() | 7343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT46H16M32LFCM-6:B TR | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | RC28F256J3F95A | - | ![]() | 8760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 864 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
mt48h8m16lfb4-8 it tr | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT | - | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 107-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 107-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit(nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F128G08CECGBJ4-37R:g | - | ![]() | 9888 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT60B2G8HS-48B AAT:A TR | 31.3050 | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | - | - | SDRAM -DDR5 | - | - | - | 557-MT60B2G8HS-48BAAT:ATR | 3,000 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | - | |||||||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FR TR | - | ![]() | 9736 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR | - | ![]() | 7421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F768G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 768GBIT | フラッシュ | 96g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F128G08AMEDBJ5-12:d | - | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F256G08AUEDBJ6-12:d | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.5V〜3.6V | 132-lbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT47H32M16NF-25E AUT:H TR | - | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR | - | ![]() | 7975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | - | - | MT29RZ4C8 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit (nand )、4gbit (lpddr2) | フラッシュ、ラム | 256M x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT41K512M8DA-107 AAT:P Tr | 9.6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F256G08AUAAAC5-IT:a | - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA(18x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | PN28F256M29EWHA | - | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | - | - | PN28F256M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | |||
![]() | mtfc32gakaejp-ait tr | - | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C TR | 36.5850 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | 18ns | |||||||
![]() | mtfc128gajaece-5m ait tr | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT42L256M32D2LG-25 WT:a | - | ![]() | 1880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L256M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | mt52l1dapf-dc tr | - | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | MT52L1 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT25QL256ABA1EW9-0AAT | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
![]() | M29W256GH70ZA6F TR | - | ![]() | 6856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT41K256M16HA-125 M:e | - | ![]() | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR | 5.5648 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28EW128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | MT40A256M16GE-075E IT:b | - | ![]() | 8442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9x14) | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | M29W640GL7AZF6E | - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns |
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