SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M25P64-VMF6G Micron Technology Inc. M25P64-VMF6G -
RFQ
ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) M25P64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 50 50 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
MT53E2D1BFW-DC Micron Technology Inc. mt53e2d1bfw-dc 22.5000
RFQ
ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2D1BFW-DC 1,360
MT29F128G08AMCDBL1-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBL1-6:D TR -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) - - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT46H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6:B TR -
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
RC28F256J3F95A Micron Technology Inc. RC28F256J3F95A -
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 864 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT48H8M16LFB4-8 IT TR Micron Technology Inc. mt48h8m16lfb4-8 it tr -
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT -
RFQ
ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 107-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 107-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit(nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR -
RFQ
ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F128G08CECGBJ4-37R:g -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT60B2G8HS-48B AAT:A TR Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT:A TR 31.3050
RFQ
ECAD 2139 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) - - SDRAM -DDR5 - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT:ATR 3,000 2.4 GHz 揮発性 16gbit 16 ns ドラム 2g x 8 ポッド -
EDFP112A3PF-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FR TR -
RFQ
ECAD 9736 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR -
RFQ
ECAD 7421 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F768G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. MT29F128G08AMEDBJ5-12:d -
RFQ
ECAD 6537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUEDBJ6-12:d -
RFQ
ECAD 9738 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-lbga MT29F256G08 フラッシュ-nand(slc) 2.5V〜3.6V 132-lbga(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,120 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT:H TR -
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR -
RFQ
ECAD 7975 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ - - MT29RZ4C8 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit (nand )、4gbit (lpddr2) フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AAT:P Tr 9.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F256G08AUAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5-IT:a -
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F256G08 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 52-VLGA(18x14) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
PN28F256M29EWHA Micron Technology Inc. PN28F256M29EWHA -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ - - PN28F256M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MTFC32GAKAEJP-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaejp-ait tr -
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-VFBGA (11.5x13 - 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C TR 36.5850
RFQ
ECAD 3428 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - ROHS3準拠 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT:CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
MTFC128GAJAECE-5M AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-5m ait tr -
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 1 (無制限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT42L256M32D2LG-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LG-25 WT:a -
RFQ
ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 168-wfbga MT42L256M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 168-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 400 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT52L1DAPF-DC TR Micron Technology Inc. mt52l1dapf-dc tr -
RFQ
ECAD 5064 0.00000000 Micron Technology Inc. * テープ&リール( tr) アクティブ MT52L1 - 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT25QL256ABA1EW9-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0AAT -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
M29W256GH70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH70ZA6F TR -
RFQ
ECAD 6856 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT41K256M16HA-125 M:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 M:e -
RFQ
ECAD 9957 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR 5.5648
RFQ
ECAD 6756 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT40A256M16GE-075E IT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E IT:b -
RFQ
ECAD 8442 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (9x14) - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
M29W640GL7AZF6E Micron Technology Inc. M29W640GL7AZF6E -
RFQ
ECAD 2263 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫