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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
PC28F320C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F320C3BD70A -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F320 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT46V32M16TG-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 L：C Tr -
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G088888888AH4-IT：G TR 2.8500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT42L128M32D2MH-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D2MH-3それ：a -
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （11x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
M50FW040N5TG TR Micron Technology Inc. M50FW040N5TG TR -
RFQ
 ECAD 1178 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M50FW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT40A512M16LY-075:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-075：E TR 6.0000
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MTFC8GAMALBH-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-aat es -
RFQ
 ECAD 8758 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
NAND512W4A0AN6E Micron Technology Inc. NAND512W4A0AN6E -
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 32m x 16 平行 50ns
MT46V16M16P-5B AIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B AIT：M TR -
RFQ
 ECAD 7946 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT28F800B5WG-8 BET Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8ベット -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
M25PX32-VMP6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6FBA TR -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
MT46V64M4P-6T:K Micron Technology Inc. mt46v64m4p-6t：k -
RFQ
 ECAD 1704 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT46H16M16LFBF-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6：TR -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT42L384M32D3LP-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L384M32D3LP-25 WT：a -
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT42L384M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 平行 -
M25P20-VMP6G Micron Technology Inc. M25P20-VMP6G -
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P20 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 294 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、5ms
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-8-B：B Tr 63.7350
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT61K256M32JE-13:A TR Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-13：TR -
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K256 sgram -gddr6 1.31V〜1.39V 180-FBGA（12x14） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 1.625 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT44K32M36RB-083E:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-083E：a -
RFQ
 ECAD 2017年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 7.5 ns ドラム 32m x 36 平行 -
MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT -
RFQ
 ECAD 2921 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.9V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 208 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MT41K256M16V90BWC1 Micron Technology Inc. MT41K256M16V90BWC1 -
RFQ
 ECAD 1938年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT29F16G08ADACAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ADACAH4-IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 1052 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
EDB8164B4PK-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FD -
RFQ
 ECAD 4276 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 220-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 220-FBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-ITZ：TR -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT45W4MW16BBB-706 L WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BBB-706 L WT -
RFQ
 ECAD 2337 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046AAT：D TR 10.3200
RFQ
 ECAD 6137 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M16D1FW-046AAT：DTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 512m x 16 平行 18ns
MT29VZZZ7D8DQFSL-046 W.9J8 Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D8DQFSL-046 W.9J8 -
RFQ
 ECAD 2995 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 mt29vzzz7 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29VZZZ7D8DQFSL-046W.9J8 廃止 0000.00.0000 1,520
M29W064FT70N3E Micron Technology Inc. M29W064FT70N3E -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MTFC128GAPALNS-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gapalns-aat es tr -
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT29F256G08CECABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6：a -
RFQ
 ECAD 3587 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT46V128M4BN-6:F Micron Technology Inc. mt46v128m4bn-6：f -
RFQ
 ECAD 9830 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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