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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E512M16D1FW-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046AIT：d 9.3750
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M16D1FW-046AIT：d 1 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 512m x 16 平行 18ns
MT58L512V18PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512V18PT-6 8.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 512K x 18 平行 -
M29F400FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR 8.4750
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT57V1MH18EF-6 Micron Technology Inc. MT57V1MH18EF-6 23.0000
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 1m x 18 平行 -
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R：TR -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G080808ABAFAH4-AATES：F Tr -
RFQ
 ECAD 6538 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
N25Q128A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q128A13E1241E -
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT53B384M64D4TP-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TP-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,120 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
EDFP112A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,190 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MT29F16G08CBACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP：C Tr -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAM70M3WC1 -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 廃止 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEDBL84C3WC1 -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT62F1536M64D8EK-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023AAT：B TR 94.8300
RFQ
 ECAD 1518 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-023AAT：BTR 1,500 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR Micron Technology Inc. mt29az5a3chhwd-18ait.84f tr -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA mt29az5a3 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.9V 162-VFBGA（10.5x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
TE28F128J3D75B TR Micron Technology Inc. TE28F128J3D75B TR -
RFQ
 ECAD 7068 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
NAND128W3A0BN6F TR Micron Technology Inc. NAND128W3A0BN6F TR -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AAT：d 23.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53D4DFSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DFSB-DC -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT58L64L36DT-7 Micron Technology Inc. MT58L64L36DT-7 5.5100
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 2mbit sram 64k x 36 平行 -
MTFC32GAOALEA-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gaoalea-wt es tr -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mtfc32g - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
EDFA364A3MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA364A3MA-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - EDFA364 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HPC-0SIT TR 6.8100
RFQ
 ECAD 7778 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
JR28F064M29EWHA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWHA -
RFQ
 ECAD 2007年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT28EW256ABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HPC-1SIT -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
M29W800DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MTFC16GJDEC-4M IT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-4M IT -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-WFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-WFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
ECF620AAACN-C2-Y3 Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C2-Y3 -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ ECF620 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1
MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G32D4NQ-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 1012 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53B1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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