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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y -
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MT29RZ4C8 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 980 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
M29W160ET7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 6924 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT40A512M8RH-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E：B TR -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A512M8RH-083E：BTR 廃止 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
NAND512R3A2SZAXE Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZAXE -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-IT：E TR 4.2400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
M29F400FB55M3E2 Micron Technology Inc. M29F400FB55M3E2 -
RFQ
 ECAD 4282 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 40 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT46V32M4P-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B：d -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT41K512M8RH-125 IT:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 IT：E TR -
RFQ
 ECAD 3503 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Micron Technology Inc. MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C -
RFQ
 ECAD 1429 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ4B4 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 128m x 32（nand）、128m x 32（lpddr2） 平行 -
MT43A4G80200NFH-S15:A Micron Technology Inc. MT43A4G80200NFH-S15：a -
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 ECAD 1410 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ MT43A4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6：D TR -
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2P-75 IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
M29F200BB70M6E Micron Technology Inc. M29F200BB70M6E -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B1024M64D8PM-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53D768M64D4SQ-053 WT:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT：a -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAUT-FR TR -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT48LC8M32B2F5-7 IT Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2F5-7 IT -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
MT42L32M32D1HE-18 IT:D TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D1HE-18 IT：D TR 5.6250
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT42L32M32D1HE-18IT：DTR ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT25QL128ABA1ESE-MSIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESE-MSIT -
RFQ
 ECAD 1111 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT28F640J3BS-115 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3BS-115 GMET TR -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
MT46V64M8TG-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-75 IT：D TR -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
N25Q256A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A13E1240E -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1564 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT48LC2M32B2TG-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6：G TR -
RFQ
 ECAD 1677 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 12ns
MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6619 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT57W512H36JF-4 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-4 28.0100
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT57W512H SRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 4 ns sram 512K x 36 平行 -
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10RZ：a -
RFQ
 ECAD 4274 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT47H128M8B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E：a -
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083E：TR -
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 7.5 ns ドラム 64m x 18 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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