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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAUT-FR TR -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
MT48LC16M16A2P-6A:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A：D TR -
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT42L32M32D1HE-18 IT:D TR Micron Technology Inc. MT42L32M32D1HE-18 IT：D TR 5.6250
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT42L32M32D1HE-18IT：DTR ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 WT：A TR 6.7200
RFQ
 ECAD 5739 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-046WT：ATR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT58L64L36PT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L36PT-10TR 4.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 2mbit 5 ns sram 64k x 36 平行 -
MTFC64GAPAKEA-WT Micron Technology Inc. mtfc64gapakea-wt -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド - 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
PC28F320C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F320C3BD70A -
RFQ
 ECAD 4397 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F320 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT52L256M32D1PF-093 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-093 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 178-VFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 178-FBGA （11.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1067 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT41J128M16JT-093 J:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093 J：k -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 100 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT48LC32M8A2P-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A：d -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
PC28F640P33BF60A Micron Technology Inc. PC28F640P33BF60A -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 4m x 16 平行 60ns
MTFC16GJVEC-2F WT Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-2f wt -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F128G08AMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6：D TR -
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F256G08AUAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5：a -
RFQ
 ECAD 9154 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-VLGA MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
N25Q256A13E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A13E1240E -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1564 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F64G08CBABBWP-12:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12：b -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT：E TR 6.6000
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT48LC4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-10：g -
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT49H32M18FM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-25E：B Tr -
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT44K64M18RB-083E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083E：TR -
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 7.5 ns ドラム 64m x 18 平行 -
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR Micron Technology Inc. MT46H256M32L4SA-48 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-TFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-TFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 8gbit 5 ns ドラム 256m x 32 平行 14.4ns
MT46V32M4P-5B:D Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B：d -
RFQ
 ECAD 6556 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT46V32M16TG-75 L:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75 L：C Tr -
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
NAND512R3A2SZAXE Micron Technology Inc. NAND512R3A2SZAXE -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT25QU01GBBB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8ESF-0AAT 19.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU01 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QU01GBBB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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