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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A256M16LY-062E AUT：F TR | 14.9700 |  | 6659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | 557-MT40A256M16LY-062EAUT：FTR | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
 | MT29F1G01ABBFDSF-IT：F | - | | 5554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
 | MT46H32M16LFBF-6 AAT：c | - | | 4334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,782 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
 | PC28F512M29AWHB TR | - | | 2994 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
| MT44K32M36RB-093E：a | 80.5650 | | 9656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M36 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | ||
| PF48F4400P0VBQ2F TR | - | | 2635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | 48F4400P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 85 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 85ns | |||
 | MT53D1024M64D8NW-053 WT ES：D | - | | 2239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||||
 | PC28F256P33BFF TR | - | | 8813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| mtfc256gbcaqtc-aat tr | 82.8625 | | 8045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| N25Q512A13GSF40G | - | | 5836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-1577-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||
| mt46h8m16lfbf-6 at：k tr | - | | 4810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H8M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mt53d4dcsb-dc tr | - | | 9465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | MT29F512G08EMCBBJ5-6：b | - | | 9114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 167 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M29DW641F60ZE6E | - | | 6358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29DW641 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 | - | | 8292 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
 | MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：a | 14.3400 | | 8045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3ITF：a | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MTFC4GACAAAM-1M WT TR | - | | 3053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mtfc4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT53E256M16D1FW-046AAT：B TR | 9.3900 | | 3436 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E256M16D1FW-046AAT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 18ns | |||||||
| RC28F128P33T85A | - | | 3644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | MT29F1G16ABBEAHC：e | - | | 7297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT53E1G64D4HJ-046AAT：a | 63.1350 | | 8213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：a | 1 | |||||||||||||||||||||
| PC28F512G18FE | - | | 5755 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | チューブ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 96ns | |||
| EDF8164A3MC-GD-FD | - | | 4848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAAT：B TR | - | | 9146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT：BTR | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR | - | | 8496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46H8M32LFB5-75 IT：A TR | - | | 1784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53B512M64D4NZ-062 WT ES：D | - | | 7446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
 | MT28F004B5VP-8T | - | | 3245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F004B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 80ns | |||
| NAND02GAH0LZC5E | - | | 8884 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-LFBGA | NAND02G | フラッシュ -ナンド | 3.135V〜3.465V | 153-lfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -nand02gah0lzc5e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | MMC | - | ||
| MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P | - | | 1214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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