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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT62F2G64D8EK-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026AAT：b 126.4350
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F2G64D8EK-026AAT：b 1
MT25QL02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0SIT 34.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 8ms、2.8ms
M29F400FT5AM62 Micron Technology Inc. M29F400FT5AM62 -
RFQ
 ECAD 7474 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 240 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT29F4T08EQLEEG8-QD:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EQLEEG8-QD：e 105.9600
RFQ
 ECAD 1875年 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD：e 1
MT48H8M32LFB5-75:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75：h -
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
EDB8132B4PM-1DAT-F-D Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1DAT-FD -
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-wfbga EDB8132 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT Micron Technology Inc. mt29c2g48maklcji-6それ -
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C2G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V - ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） フラッシュ、ラム 128m x 16 平行 -
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AIT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
JS28F512P33BFD Micron Technology Inc. JS28F512P33BFD -
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 32m x 16 平行 105ns
MT42L256M64D4LM-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LM-18 WT：a -
RFQ
 ECAD 5457 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-VFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-AITX：e 3.5100
RFQ
 ECAD 948 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT53E1G64D4NZ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT：C TR 42.4500
RFQ
 ECAD 6338 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 376-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 376-WFBGA（14x14） ダウンロード 557-MT53E1G64D4NZ-046WT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 1g x 64 平行 18ns
MT29F2T08ELLCEG7-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLCEG7-R：C Tr 60.5400
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08ELLCEG7-R：CTR 2,000
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT41K64M16JT-125:G TR Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-125：G TR -
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 64m x 16 平行 -
N25Q064A13ESE40G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40G -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
N25Q032A13EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF440E -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-PDFN（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga MT52L768 SDRAM- lpddr3 1.2V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
N25Q256A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A13EF840E -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1565 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT40A512M8RH-083E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AIT：b -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-IT：F TR 3.4600
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT48LC16M16A2P-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A IT：g -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MTFC4GLMDQ-AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc4glmdq-ait a tr -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC4GLMDQ-AITATR 2,000 52 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
PC28F064M29EWHX Micron Technology Inc. PC28F064M29EWHX -
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MTFC32GJTED-3F WT Micron Technology Inc. MTFC32GJTED-3F WT -
RFQ
 ECAD 3737 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT62F3G32D8DV-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 IT：b 74.6400
RFQ
 ECAD 2741 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-023IT：b 1 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 3g x 32 平行 -
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-ITS：c -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
N25Q016A11EF640E Micron Technology Inc. N25Q016A11EF640E -
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q016A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,940 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 8ms、1ms
MT28F800B5SG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8テット -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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