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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT58L64L18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-7.5 8.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L18 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
JS28F256M29EWHD Micron Technology Inc. JS28F256M29EWHD -
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Micron Technology Inc. mt29c8g96mazbadjv-5 wt -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E AIT：M TR 3.8331
RFQ
 ECAD 4418 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H64M16NF-25EAIT：MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53E2DBDS-DC TR Micron Technology Inc. mt53e2dbds-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2DBDS-DCTR 2,000
MT53E4G32D8GS-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8GS-046 AIT：c 109.4700
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM-モバイルLPDDR4 - - - 557-MT53E4G32D8GS-046AIT：c 1 2.133 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT46V32M16P-5B L:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B L：J -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-IT：C Tr 7.7200
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
M29F400BB45N1 Micron Technology Inc. M29F400BB45N1 -
RFQ
 ECAD 7184 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 45 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 45ns
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MTFC64GANALAM-WT Micron Technology Inc. mtfc64ganalam-wt -
RFQ
 ECAD 6411 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - mtfc64 フラッシュ -ナンド - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT53E256M32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 WT：B TR 11.6400
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E256M32D2FW-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 平行 18ns
M29F040B55N1 Micron Technology Inc. M29F040B55N1 -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F040 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512k x 8 平行 55ns
MT47H256M8THN-25E IT:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E IT：h -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
M25PE40-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE40-VMP6G -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
N25Q256A83E1241F Micron Technology Inc. N25Q256A83E1241F -
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q256A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 AAT：c -
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L64M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EQHBBG2-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 6462 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
MT29F64G08CBABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12：B TR -
RFQ
 ECAD 5963 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT：d -
RFQ
 ECAD 2423 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12Z：TR -
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031AAT：B TR 62.0700
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E AUT：F TR 19.1100
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M8SA-062EAUT：FTR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT44K64M18RB-083F:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-083F：a -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.2 GHz 揮発性 1.125Gbit 6.67 ns ドラム 64m x 18 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：e -
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
M58LR256KB70ZC5Z Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5Z -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 79-VFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 79-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M58LR256KB70ZC5Z 3A991B1A 8542.32.0071 1,740 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT29F1T08EBLCEJ4-ES:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c -
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c 1
MT53E2G32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 WT：c 42.4500
RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E2G32D4DE-046WT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 2g x 32 平行 18ns
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT：b -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （11x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3TES：a -
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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