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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mt38q50deb10dbdxau.y74 tr | 21.4200 |  | 6157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt38q50 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | mt38q50deb10dbdxau.y74tr | 0000.00.0000 | 2,000 | ||||||||||||||||
| MTFC16GJVEC-WT | - | | 7389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT58L512V18PT-6 | 8.9300 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 8mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
 | MT53E512M32D2NP-046 TR | - | | 7314 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||
 | MT46V256M4TG-6T：a | - | | 5031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V256M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT58V512V36DF-7.5 | 18.7900 | | 57 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-標準 | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4.2 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||||
| MT29VZZZ7D8GUFSL-046 W.218 | 14.6316 | | 8983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 557-MT29VZZZ7D8GUFSL-046W.218 | 1,520 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F4G080808ABAFAH4-AATES：F Tr | - | | 6538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC8M16A2P-7E IT：G TR | - | | 2092 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 14ns | ||
| EDF8132A3PB-JD-FR TR | - | | 9538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT46V32M16TG-5B：F | - | | 2389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F4T08EUHAFM4-3T：TR | - | | 2536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||
| MT46V32M8TG-75Z：G TR | - | | 8850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 750 PS | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT28F400B5SG-8 B TR | - | | 4406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
 | MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR | - | | 7717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28EW01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 105 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT29F1G08ABBEAH4：e | - | | 8265 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53D768M64D4SQ-053 WT：a | - | | 2797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||||||||
| MT29F32G08CBADAL83A3WC1 | - | | 8866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | N25Q512A13GSFA0F TR | - | | 8062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT46V64M4TG-5B：G Tr | - | | 3168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | mt29f4g08bbbwp tr | - | | 9959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT48LC4M16A2TG-7E：G TR | - | | 4330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3T：TR | - | | 2414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||||
| MT29F1T08CMHBBJ4-3R：B TR | - | | 7184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
| MT25QU512ABB8ESF-0SIT TR | 10.7200 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT47H64M16BT-37E：a | - | | 4127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT40A256M16LY-062EAAT：F TR | 16.3600 | | 478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F64G08AECABH1-10IT：a | - | | 6855 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46V128M4FN-75：D Tr | - | | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F512G08CKCCBH7-6R：C Tr | - | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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