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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N25Q512A81GSF40F TR | - |  | 2196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A81 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT48V4M32LFB5-8 IT：g | - | | 3895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | mt48v4m32 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | |
 | MT29F16G08DAAWP-ET：A TR | - | | 9237 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F1T208ECCBBJ4-37ES：B Tr | - | | 7470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T208 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 1.125tbit | フラッシュ | 144g x 8 | 平行 | - | ||
 | MT29F8G0808ADAFAWP-AITES：f | - | | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT29F8G080808ABACAH4：C TR | - | | 4102 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F256G08CMAAAC5：TR | - | | 2252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT46V32M16BN-6：F Tr | - | | 6532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |
| MT28F400B5WG-8テット | - | | 4578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | ||
 | PC28F256M29EWLD | - | | 1788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | |||
 | N2M400FDB311A3CF TR | - | | 4389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | N2M400 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||
| MT4A1G16KNR-75：E TR | - | | 1640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT4A1 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | ||||||||||||||||
 | MT61K256M32JE-12：TR | - | | 5935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | MT61K256 | sgram -gddr6 | 1.31V〜1.39V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||
| MTFC8GACAAAM-1M WT | - | | 6189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mtfc8 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,520 | |||||||||||||||
| MT29F64G08CFACBWP-12：c | - | | 9710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
| MT53B256M64D2TG-062 XT：c | - | | 9197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 960 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||
| MT29F8G16ABACAWP-IT：c | - | | 6494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | |||
| MT52L256M32D1PD-107 WT：B TR | - | | 3271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||
| MTFC64GAOAMEA-WT ES | - | | 2002年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mtfc64 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
 | EDB5432BEPA-1DAAT-FD | - | | 4066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 168-wfbga | EDB5432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| MT42L64M64D2KH-3それ：a | - | | 5023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | |||
 | MT29F512G08CKCCBH7-6R：c | - | | 5136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||
| MT29F1T208ECHBBJ4-3RES：B TR | - | | 1269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T208 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.125tbit | フラッシュ | 144g x 8 | 平行 | - | ||
 | MT28F004B3VG-8 T TR | - | | 2768 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F004B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 80ns | ||
| MT48H8M32LFB5-6：h | - | | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | |
 | MT46V128M4FN-75：D Tr | - | | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | |
| JR28F064M29EWTB TR | - | | 8466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JR28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT29F1G08ABBEAH4：e | - | | 8265 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT53D768M64D4SQ-053 WT：a | - | | 2797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||||
| MT29F512G08CKCCBH7-6R：C Tr | - | | 5981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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