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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT55L256V32PT-6 | 14.9900 |  | 135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 8mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
 | N25Q128A13ESE40G | - | | 3515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | Q6985588 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||
 | PC28F128P33T85D | - | | 1809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | MT53E128M32D2DS-053 AAT：a | 12.1200 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
 | 28153735 | - | | 8843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||
| MT47H256M8EB-187E：c | - | | 7573 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 350 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT25QL128ABA1EW7-0M03IT | - | | 4289 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT25QL128ABA1EW7-0M03IT | 廃止 | 2,940 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 1.8ms | ||||
 | M28W160CB70N6F TR | - | | 4938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M28W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | RD28F1604C3BD70A | - | | 5104 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-LFBGA 、CSPBGA | RD28F1604 | sram | 2.7V〜3.3V | 66-scsp（12x8） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性、揮発性 | 16mbit （フラッシュ）、4mbit（ram） | 70 ns | フラッシュ、ラム | - | 平行 | 70ns | |||
 | mt48v8m32lfb5-10 it tr | - | | 2422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | mt48v8m32 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 90-VFBGA （8x13 | - | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A2G8VA-062E IT：B TR | - | | 8812 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | - | 557-MT40A2G8VA-062EIT：BTR | 廃止 | 3,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | 15ns | ||||||
 | M45PE10S-VMP6G | - | | 3903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M45PE10 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 3ms | ||||
 | MT29F32G08ABCABH1-10Z：TR | - | | 7128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||
| MT48LC16M8A2BB-6A AIT：L | - | | 4782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-TFBGA （8x16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 12ns | ||
| MT42L64M64D2LL-18 IT：C Tr | - | | 2738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
| mt29c8g96mazbadkd-5 wt tr | - | | 4985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | ||||
| MT49H16M36BM-18：b | - | | 1337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
 | MT29F2G01AAAEDH4-IT：E TR | - | | 4400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | MT28F800B3SG-9 T TR | - | | 2356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F800B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||
| NAND256W3A2BN6F TR | - | | 2930 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | NAND256 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 256mbit | 50 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 50ns | |||
| MT53D4DACR-DC | - | | 5353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | - | mt53d4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||||
| M50FW080NB5G | - | | 9285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） | M50FW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| RC28F256P33BFE | - | | 3312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -RC28F256P33BFE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 95ns | |
| NAND512R3A2SZAXE | - | | 8535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND512 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 512mbit | 50 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 50ns | |||
 | NAND128W3A0BN6F TR | - | | 9483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | NAND128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 128mbit | 50 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 50ns | |||
| MT48V8M32LFB5-10 TR | - | | 3673 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | mt48v8m32 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 90-VFBGA （8x13 | - | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D384M32D2DS-046 AIT：c | - | | 2417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||||
| mt53d4dadt-dc tr | - | | 2839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F | - | | 8666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt29vzzzac8 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
 | MT48V8M16LFB-4-10：g | - | | 1902年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | mt48v8m16 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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