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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc64gjvdn-4m it | - |  | 4087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT55V512V32PT-7.5 | 17.3600 | | 551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT55V512V | sram- zbt | 2.375V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4.2 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | - | ||
 | mtfc4gacajcn-4m it tr | - | | 7863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc4gacajcn-4mittr | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | M29W256GL70ZA6F TR | - | | 3995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT62F768M64D4EK-023 AIT：B TR | 43.5300 | | 3305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
| MT28GU256AAA2EGC-0SIT | - | | 5204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT53E512M64D2HJ-046 WT：B TR | 26.1150 | | 4853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 64 | 平行 | 18ns | ||||
 | MT25QU512ABB8E12-0AUT TR | 10.5450 | | 6418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT53E512M32D2NP-053 RS WT：e | - | | 9875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 1,360 | |||||||||||||||
 | MT29F4G08AACHC：c | - | | 7224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | N25Q064A13ESEC0E | - | | 7574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT47H64M16HR-25E AAT：h | - | | 3093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT：A TR | 122.8500 | | 1909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L256 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| mtfc16gapalgt-s1 it | 17.6400 | | 6046 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC16GAPALGT-S1IT | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
 | M25P128-VME6TG TR | - | | 1844年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Forté™ | カットテープ（CT） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 15ms、7ms | |||
| MT55L128L36F1T-11 | 6.5800 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 揮発性 | 4mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
| MT29F4G16ABBDAHC-IT：D Tr | - | | 7337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6IT：d | - | | 7154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | JS28F256M29EBHB TR | - | | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 110ns | |||
| MT62F1G32DS-023 AUT：B TR | 36.7350 | | 8387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| mtfc64gapalgt-aat | - | | 2879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC64GAPALGT-AAT | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
| MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M | - | | 1075 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITR：e | 22.0500 | | 7064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E768M64D4SQ-046AAT：a | - | | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E768M64D4SQ-046AAT：a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||
 | MT29F512G08EBHBFJ4-T：B TR | - | | 5259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T：BTR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F4G16ABADAWP：d | - | | 5083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D | - | | 9010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | - | - | MT29RZ4C8 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） | フラッシュ、ラム | 256M x 16 | 平行 | - | |||||
| MT29F512G08EBLCEJ4-R：C Tr | - | | 4651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R：CTR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F256G08CJABBWP-12：b | - | | 2026 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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