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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53B4DBNQ-DC Micron Technology Inc. mt53b4dbnq-dc -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 200-VFBGA mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 200-VFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
N25Q064A13E12D1F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E12D1F TR -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,500 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LM-18 WT：TR -
RFQ
 ECAD 3717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-VFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MTFC8GAKAJCN-1M WT Micron Technology Inc. mtfc8gakajcn-1m wt -
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT48H32M16LFB4-6 IT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 IT：c 7.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,560 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT44K32M36RCT-125E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RCT-125E：TR -
RFQ
 ECAD 9729 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 1.125Gbit 12 ns ドラム 32m x 36 平行 -
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12Z：a -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 XIT：E TR -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT28F800B5WP-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B5WP-8 B TR -
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
M29W640GSL70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GSL70ZF6F TR -
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-ITZ：a -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT28F400B3SG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 1858年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT46V64M8P-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B AIT：J TR -
RFQ
 ECAD 3012 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT61K512M32KPA-14:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14：b -
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K512 sgram -gddr6 1.31V〜1.391V 180-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 7 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT28F400B5SP-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B5SP-8T -
RFQ
 ECAD 1122 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT46V16M16P-75:F Micron Technology Inc. MT46V16M16P-75：F -
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-48 IT：B TR -
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 14.4ns
M58WR064KT7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR064KT7AZB6E -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR064 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
M58LR256KB70ZC5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZC5F TR -
RFQ
 ECAD 5076 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 79-VFBGA M58LR256 フラッシュ - 1.7V〜2V 79-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
EDFB164A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C（TA） EDFB164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,520 800 MHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-7E IT：D TR -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
M50FLW080BNB5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW080BNB5TG TR -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） M50FLW080 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 8mbit 250 ns フラッシュ 1m x 8 平行 -
MT53D768M64D8JS-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8JS-053 WT：d -
RFQ
 ECAD 5397 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-VFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-VFBGA（12x12.7） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT53B2DADS-DC TR Micron Technology Inc. mt53b2dads-dc tr -
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
MT28F400B5WP-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT29F512G08EBLEEJ4-T:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-T：e 10.7250
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-VBGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-T：e 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBWP-10M：B TR -
RFQ
 ECAD 3932 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-ITX：d -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
PF48F4400P0VBQ2F TR Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQ2F TR -
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA 48F4400P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT25QU02GCBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AAT 41.3700
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 24-tbga MT25QU02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 8ms、2.8ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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