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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT47H64M16NF-25E IT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E IT：M TR 3.7664
RFQ
 ECAD 1126 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H64M16NF-25EIT：MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT41K512M16HA-125 IT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 IT：a -
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MT47H128M4CB-37E:B Micron Technology Inc. MT47H128M4CB-37E：b -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 512mbit 500 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT53B384M64D4TP-062 XT:C Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TP-062 XT：c -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,120 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083EAAT：B TR -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
JS28F320J3F75E Micron Technology Inc. JS28F320J3F75E -
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 ECAD 5830 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F320J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
MT25TU01GHBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU01GHBB8E12-0SIT TR -
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 ECAD 8632 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
M29F400FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3F2 TR -
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 ECAD 4962 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT28F004B5VG-8 B Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 b -
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 ECAD 6146 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUEDBJ6-12：D TR -
RFQ
 ECAD 6999 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 83 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT48V4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8 XT：g -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -20°C〜75°C（TA） 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT58L64L36PT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L36PT-10TR 4.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 2mbit 5 ns sram 64k x 36 平行 -
MT29F16G08AFABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F16G0888888888888888：b -
RFQ
 ECAD 5812 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT48LC64M4A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75 L：d -
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT48LC16M16A2P-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 L：d -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
PC28F160C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 2257 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F160 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 144 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 AIT：C TR -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES：D -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT29F2G08ABDHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABDHC：D TR -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC8M32B2F5-6 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2FFF5-6 TR -
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 12ns
JS28F160C3BD70A Micron Technology Inc. JS28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 7542 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F160C3 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C2G24 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MT48LC16M8A2P-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75 L：G TR -
RFQ
 ECAD 5674 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
M25P40-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AUT：e -
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 ECAD 5821 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR Micron Technology Inc. mt29pzzz8d4bkfsk-18 w.94l tr -
RFQ
 ECAD 4195 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M29W640GH7ANB6E Micron Technology Inc. M29W640GH7ANB6E -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT41K1G8SN-107 IT:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-107 IT：a -
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT46V128M8TG-6T:A TR Micron Technology Inc. MT46V128M8TG-6T：TR -
RFQ
 ECAD 8208 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6ITR：d -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 166 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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