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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F512G08CECBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-37：b -
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F1G01AAADDH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G01AAADDH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 7575 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 1504 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
MT62F1536M64D8EK-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 WT：b 67.8450
RFQ
 ECAD 1890 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 - -
MT45W1MW16BABB-706 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BABB-706 WT TR -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W1MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AAT：g 3.8700
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G16ABAGAWP-AAT：g 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
M29F800FT55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FT55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT28F640J3RG-115 MET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 Met Tr -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F640J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64mbit 115 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 -
M29W800DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MTFC64GBCAQDQ-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqdq-aat tr 29.4000
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC64GBCAQDQ-AATTR 1,500
RD48F2000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. RD48F2000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA RD48F2000 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
M28W160CT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W160CT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT49H32M18FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2TG-75 IT：d -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT28F800B3SG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F800B3SG-9テット -
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT28FW512ABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LPC-0AAT -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28FW512 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
MT29F4G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-E：d -
RFQ
 ECAD 1844年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MTFC128GAXAUEA-WT Micron Technology Inc. mtfc128gaxauea-wt 14.0250
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAXAUEA-WT 1
MT46V64M8TG-75Z:D Micron Technology Inc. mt46v64m8tg-75z：d -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M25P16-VMC6G Micron Technology Inc. M25P16-VMC6G -
RFQ
 ECAD 2323 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-UFDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F1T08CUCABH8-6:A Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABH8-6：a -
RFQ
 ECAD 7270 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT47H64M8CB-25:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25：B TR -
RFQ
 ECAD 7630 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M29F800AB70M1 Micron Technology Inc. M29F800AB70M1 -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT47H128M8BT-3 L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-3 L：a -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT52L768M32D3PU-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT：b -
RFQ
 ECAD 2712 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga MT52L768 SDRAM- lpddr3 1.2V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT53D512M16D1DS-046 IT:D Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 IT：d 8.5200
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード 557-MT53D512M16D1DS-046IT：d 1 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 - -
MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR 16.5900
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28FW01 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
N25Q064A13EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640F TR -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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