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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V32M16CY-5B IT：J TR | 6.2250 |  | 5371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT40A2G4WE-075E：D Tr | - | | 7099 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （8x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | |||
 | MT25TL512HBA8ESF-0SIT TR | - | | 4526 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT29F512G08CMEABH7-12：a | - | | 5512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT48H32M16LFB4-6 AAT：c | - | | 9091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V32M16BN-75 IT：C Tr | - | | 9696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT41J256M16RE-15E IT：d | - | | 6730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （10x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.5 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT41K128M8DA-107 IT：J TR | 5.1300 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT48LC4M16A2TG-7E：G TR | - | | 4330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||
 | JS28F512P30EFA | - | | 1897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F512P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 110ns | ||
 | MT29F128G08CECDBJ4-6R：d | - | | 9456 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT25QL512ABB8ESF-0AAT | 8.1150 | | 8817 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -791-MT25QL512ABB8ESF-0AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
 | MT28F320J3FS-11 et tr | - | | 4040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F320J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT53D1024M32D4DT-046AAT：d | 39.1050 | | 4370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
| M58BW016FB7D150T TR | - | | 5422 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | - | M58BW016 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | - | ||||
 | mtfc8gldea-1m wt tr | - | | 8567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT28GU512AAA2EGC-0SIT | - | | 9970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT46V8M16TG-6T IT：D TR | - | | 5182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V8M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A2G8VA-062E IT：B TR | - | | 8812 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | - | 557-MT40A2G8VA-062EIT：BTR | 廃止 | 3,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | 15ns | ||||||
 | MT53D512M32D2NP-046 WT：d | - | | 3782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
| MT53D2048M32D8QD-062 WT ES：D TR | - | | 8058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D2048 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||
| MT46H64M32LFCX-5 AIT：B TR | - | | 7233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | MT42L32M32D2AC-25 FAAT：a | - | | 5463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | MT42L32M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT47H64M16BT-5E：a | - | | 9794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 600 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D384M64D4KA-046 XT ES：E TR | - | | 6174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | ||||||||
 | MT49H32M9FM-25 TR | - | | 8921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 9 | 平行 | - | ||
 | MT46H16M32LFBQ-5 AAT：C Tr | 7.3000 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| mt53e4dcdt-dc tr | 22.5000 | | 6155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4DCDT-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | MT29F1G01ABAFD12-IT：F | - | | 5554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT29F1G01ABAFD12-IT：FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | |||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12：B TR | - | | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-tbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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