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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E1G32D2FW-046 AUT：B TR | 37.9050 |  | 8089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT49H16M36BM-8それ：B Tr | - | | 3181 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
 | MT29F1G08ABCHC：C Tr | - | | 2427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT41K256M4DA-107：J | - | | 1499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 4 | 平行 | - | ||
| mt29kzzz4d4agfak-5 w.6z4 tr | - | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT53B384M32D2DS-062 AIT：B TR | - | | 1305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
 | JS28F640J3F75G | - | | 2999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F640J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -JS28F640J3F75G | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | ||
| MT29F8T08GULCEM4：C Tr | 156.3000 | | 2767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| M28W160FST70ZA6E | - | | 1141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | M28W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | TE28F160C3BD70A | - | | 7002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F160C3 | フラッシュ -ブートブロック | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT41J128M16HA-125G：D Tr | - | | 9804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ（CT） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
| MT41J128M8DA-093：J | - | | 3076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | MT41J128M8 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||
| MT29F4G08ABADAWP-AT：d | - | | 6051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
| M58LT256KST8ZA6F TR | - | | 7509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | |||
 | MT41K128M16JT-125 AIT：k | 7.0700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT29F16G08ABCCBH1-AAT：C Tr | 36.7600 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F16G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 16gbit | 20 ns | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | |||
 | PC28F512P33BFD | - | | 8900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 95ns | ||
 | MT46V32M16P-5B：J TR | 6.4700 | | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES：D TR | - | | 3805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||||
| MT29F1T08EELEEJ4-QJ：E TR | 26.4750 | | 8581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| N25Q032A11EF440F TR | - | | 8556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | N25Q032A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-updfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT29F2T08EELCHD4-M：c | 41.9550 | | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29F400FB5AM6T2 TR | - | | 5988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | mtfc16gakaedq-ait | - | | 9464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT53E256M32DS-046 AUT：b | 17.8200 | | 5236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-046AUT：b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT53E2G32D4DT-046 AAT：a | 63.1350 | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E2G32D4DT-046AAT：a | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||
| MT29F64G08CBCGBWP-10ES：G TR | - | | 9189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
| MT53E384M32D2DS-046 WT：e | - | | 8383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E384M32D2DS-046WT：e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
| MT47H64M16NF-25E AUT：M | - | | 6043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
 | M25P40-VMN6ypb | - | | 2169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 280 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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