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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E512M64D2NW-046 WT：B TR | 23.5200 |  | 1097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53E512 | 432-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M64D2NW-046WT：BTR | 2,000 | ||||||||||||||
 | MT53E128M16D1Z19MWC1 | 10.3800 | | 7120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT25QL256ABA8E12-1SAT | - | | 2708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT29C1G12MAACVAMD-5 IT | - | | 5175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC16M16A2P-6A XIT：G TR | 6.6600 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| MT53D512M64D4SB-046 XT ES：E TR | - | | 7560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT29F8G0808ABACAWP：C Tr | - | | 4847 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M58LT128HSB8ZA6E | - | | 3057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 80-lbga | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 80-lbga （10x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -M58LT128HSB8ZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | |
| MTEDFBR8SCA-1P2IT | - | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | アクティブ | MTEDFBR8 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 150 | |||||||||||||||||
 | EDB5432BEPA-1DIT-FR TR | - | | 7586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-wfbga | EDB5432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
| MT41K512M8DA-107 V：P Tr | 7.4400 | | 8442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
| MT29F64G08CBCGBSX-37B：g | - | | 5742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 267 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
| mt46v64m8bn-6 L：f | - | | 7982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J | - | | 6047 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | MT29GZ5A5 | フラッシュ-Nand dram -lpddr4 | 1.8V | 149-WFBGA （8x9.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 1866 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F64G08CECCBH1-12ITZ：c | - | | 8779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT28F400B5WG-8ベット | - | | 8753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
 | MT29F128G08AKCDBJ5-6IT：D Tr | - | | 1713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT40A1G4RH-075E：b | - | | 1551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | |||||
 | mtfc4glgdm-ait a tr | - | | 6962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | mtfc4glgdm-itatr | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||
| MT53E768M64D4HJ-046 WT：c | 48.1050 | | 8999 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046WT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E1536M64D8HJ-046 AIT：b | 83.7750 | | 2834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AIT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5mx 64 | - | - | ||||||||
| mt53d8danz-dc | - | | 4227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
| M29W128GSL70ZS6E | - | | 1040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| N25Q128A11E1241E | - | | 8734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT62F768M32D2DS-023 AAT：b | 25.6500 | | 4256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F768M32D2DS-023AAT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53D1536M32D6BE-046 WT：d | - | | 5800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1536 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53D1536M32D6BE-046WT：D | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | - | - | ||||
 | mt29rz1cvczzhgtn-25 w.4m0 tr | - | | 4200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | 121-WFBGA | 121-VFBGA （8x7.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||
| mtfc128gazaotd-aat | 65.5350 | | 5494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC128GAZAOTD-AAT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A13BSFH0F TR | - | | 2483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| mt29az2b2bhgtn-18it.110 | - | | 5534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mt29az2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 | 1,560 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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