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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q256A81ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A81ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A81 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maajvamd-5 it tr 9.2800
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 130-VFBGA MT29C1 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M50FW040K5TG TR Micron Technology Inc. M50FW040K5TG TR -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-lcc M50FW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 750 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-093 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 253-VFBGA MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V 253-VFBGA （11x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1067 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT41K128M16JT-107 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 AAT：k 7.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K128M16JT-107AAT：k ear99 8542.32.0036 1,224 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT29F64G08AEAAAC5:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5：TR -
RFQ
 ECAD 3048 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAGAWP-AITES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AITES：g 3.6385
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT44K32M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-093E：TR 80.5650
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 32m x 36 平行 -
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FD -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT28F320J3BS-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 MET TR -
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR Micron Technology Inc. mt29vzzz7c7dqkwl-062 w es.97y tr -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzz7 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000
MT47H32M16NF-25E AUT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT：h -
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,368 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PU-107 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 1066 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント MT52L512 SDRAM- lpddr3 1.2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
M29F400FT55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3T2 TR -
RFQ
 ECAD 8397 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT58L1MY18FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L1MY18FT-6.8 31.1000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 6.8 ns sram 1m x 18 平行 -
N25Q064A13ESFH0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0E -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT53B2DANP-DC Micron Technology Inc. MT53B2DANP-DC -
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
JS28F256J3F105A Micron Technology Inc. JS28F256J3F105A -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1B1 8542.32.0071 576 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 105ns
MT53D1024M64D8NW-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-046 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT47H128M8HQ-3:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3：G TR -
RFQ
 ECAD 7401 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 6 （ラベルの時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT48H16M32LFCM-75:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75：B TR -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT53B1DATG-DC Micron Technology Inc. mt53b1datg-dc -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 SDRAM-モバイルLPDDR4 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 960 揮発性 ドラム
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-AAT：c 33.8100
RFQ
 ECAD 874 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F16G08ABCCBH1-AAT：c 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 不揮発性 16gbit 20 ns フラッシュ 2g x 8 onfi 20ns
MT58L256L36PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36PT-7.5 15.6400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 8mbit 4 ns sram 256k x 36 平行 -
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3R：a -
RFQ
 ECAD 1516 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M29F800DT70N6 Micron Technology Inc. M29F800DT70N6 -
RFQ
 ECAD 4038 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT40A256M16GE-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AUT：b -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
M29W160ET70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MTFC8GAMALBH-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-ait tr 10.1550
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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