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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F64G08CBABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP-IT：b -
RFQ
 ECAD 2823 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT62F1536M64D8EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 FAAT：b 94.8300
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT：b 1 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
M25P10-AVMN3P/Y Micron Technology Inc. M25P10-AVMN3P/Y -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P10 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、5ms
MT53B1DBDS-DC Micron Technology Inc. mt53b1dbds-dc -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
MT58L512L18FF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18FF-7.5 16.5800
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 揮発性 8mbit 7.5 ns sram 512K x 18 平行 -
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT ES：a -
RFQ
 ECAD 8675 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT47H32M16CC-5E IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-5E IT：B TR -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（12x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 600 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F2G01ABAGD12-AUT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-AUT：g 3.2005
RFQ
 ECAD 6152 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT：g 1
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F -
RFQ
 ECAD 2413 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ4B2 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 32（nand）、64m x 32（lpddr2） 平行 -
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3RES：TR -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT48LC16M16A2P-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E IT：G TR -
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E1HT08EMHBBJ4-3：B TR -
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29E1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT29F4G16ABCWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCWC：C Tr -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q -
RFQ
 ECAD 5161 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 168-VFBGA mt29tzzz8 フラッシュnand、dram -lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,008 933 MHz 不揮発性、揮発性 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） フラッシュ、ラム 68g x 8 MMC 、LPDRAM -
MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT41J1G4THD-15E:D Micron Technology Inc. MT41J1G4THD-15E：d -
RFQ
 ECAD 1854年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J1G4 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 4gbit ドラム 1g x 4 平行 -
MT41K128M8DA-107 AIT:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 AIT：J -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,140 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESFE01-2S​​ IT TR -
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT28F004B3VG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8テット -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT47H128M8CF-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3：H TR -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX：d 7.1900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
M58LT128KST7ZA6F TR Micron Technology Inc. M58LT128KST7ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 52 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
PF48F3000P0ZBQ0A Micron Technology Inc. PF48F3000P0ZBQ0A -
RFQ
 ECAD 5658 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA 48F3000P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT45W4MW16PFA-70 WT TR Micron Technology Inc. mt45w4mw16pfa-70 wt tr -
RFQ
 ECAD 7008 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AIT：b -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT47H64M8B6-37E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-37E IT：D Tr -
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 512mbit 500 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
M45PE10S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE10S-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M45PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
M29F200BT70M6E Micron Technology Inc. M29F200BT70M6E -
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 2mbit 70 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 70ns
MT58L128L18PT-10 Micron Technology Inc. MT58L128L18PT-10 4.9100
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 2mbit 5 ns sram 128k x 18 平行 -
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TX-053 WT：B TR -
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 ECAD 7221 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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