SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
 ECAD 7681 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F2G08ABAGAH4-AIT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAGAH4-AIT：G TR 2.4998
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABAGAH4-AIT：GTR 2,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT41K128M16JT-107 IT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT：k 4.5806
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
M25P128-VME6GB Micron Technology Inc. M25P128-VME6GB -
RFQ
 ECAD 6983 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 320 54 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 15ms、5ms
MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 IT：H TR -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
BK58F0095HVX010A Micron Technology Inc. BK58F0095HVX010A -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 270
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc. MT53D512M16D1Z11MWC2 14.9600
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 Micron Technology Inc. * バルク アクティブ MT53D512 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12IT：B Tr -
RFQ
 ECAD 7767 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
RC28F256J3D95A Micron Technology Inc. RC28F256J3D95A -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT41K128M16HA-15E:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-15E：d -
RFQ
 ECAD 4380 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR：e 45.0150
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 死ぬ MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. mt29f1g01abafdwb-it：f tr 3.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CECCBH6-6：C TR -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 152-VBGA MT29E256G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-8 XT：g -
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -20°C〜75°C（TA） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW02GBBA1LPC-0AAT 33.7050
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28FW02 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,104 不揮発性 2Gbit 105 ns フラッシュ 128m x 16 平行 60ns
MTFC8GLUEA-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gluea-ait -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32R4JV-5 WT：b -
RFQ
 ECAD 5690 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 8gbit 5 ns ドラム 256m x 32 平行 15ns
RC28F128P30BF65A Micron Technology Inc. RC28F128P30BF65A -
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 128mbit 65 ns フラッシュ 8m x 16 平行 65ns
MT40A256M16LY-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E IT：F TR 9.1650
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A256M16LY-062EIT：FTR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT62F2G32D4DS-023 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AAT：C Tr 63.8550
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023AAT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT46V128M8TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V128M8TG-75：a -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT41J64M16JT-125E:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-125E：g -
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT48LC8M32B2F5-7 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2FFF5-7 TR -
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53ITE.87J -
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA MT29GZ5A5 フラッシュ-Nand dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA （8x9.5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1866 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MT29F8T08EWLEEM5-QJ:E TR Micron Technology Inc. mt29f8t08ewleem5-qj：e tr 211.8900
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F8T08EWLEEM5-QJ：ETR 1,500
MT29F2G16ABAFAWP:F Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAFAWP：F -
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（タタ MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT35XU02GCBA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0AAT 42.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます