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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc32gasaqhd-aat tr | 19.1400 |  | 1955年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC32GASAQHD-AATTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
 | MT47H32M16CC-5E L：b | - | | 6485 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA（12x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 600 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | PC28F256P30T2E | - | | 5109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 864 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 100ns | |||
 | MT29F512G08CUAAAC5：a | - | | 3710 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT58L512Y36DT-10 | 18.9400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
 | MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR | - | | 1749 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT25TL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT58L1MY18DF-7.5 | 18.9400 | | 211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | sram-標準 | 3.135V〜3.465V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4.2 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
 | M58BW16FB5ZA3F TR | - | | 1840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 80-lbga | M58BW16 | フラッシュ - | 2.5V〜3.3V | 80-lbga （10x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | 55ns | |||
 | MT46V64M4FG-75：g | - | | 8093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-FBGA | mt46v64m4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-fbga （8x14） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| mt29vzzzad8hqkwl-053 w.g8c tr | - | | 7825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29vzzzad8 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| EDB4064B3PP-1D-FD | - | | 3038 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 240-WFBGA | EDB4064 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 240-FBGA（14x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
 | M29W400DT70N6F TR | - | | 8853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT46H16M16LFBF-5：h | - | | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H16M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT48LC8M32B2B5-7 TR | - | | 9761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 14ns | ||
| MT46H16M32LFT67M-N1003 | - | | 9986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | ||||||||
 | N25Q128A23BF840F TR | - | | 5095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A23 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT29F64G08AMCBBH2-12：b | - | | 9843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F32G08ABCABH1-10：TR | - | | 3849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M25P64-VMF6P | - | | 7689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | M25P64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 50 | 50 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT29F256G08CKCDBJ5-6R：D TR | - | | 2991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | - | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F8G0888888ABABAM61A3WC1 | - | | 2186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 死ぬ | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT58L128L32F1T-8.5 | 3.0700 | | 3090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L128L32 | sram | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 8.5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | ||
 | MT61K256M32JE-12：a | - | | 4229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | MT61K256 | sgram -gddr6 | 1.31V〜1.39V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
| MT53D512M64D4RQ-046 WT ES：E TR | - | | 2760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
| M29F016D70N6 | - | | 1553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | M29F016 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 40-tsop | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8 | 平行 | 70ns | |||
 | MT53D384M32D2DS-053 WT ES：E TR | - | | 6949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT：H TR | - | | 9206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | mtfc64gapalbh-aat es | - | | 6827 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F32G088888888888-ITZ：C Tr | - | | 8125 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F64G08AEEDBJ4-12：d | - | | 6386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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