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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT49H32M18CFM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-25E：B Tr -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT29F8G08ABACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4：c -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
M29W256GSH70ZS6E Micron Technology Inc. M29W256GSH70ZS6E -
RFQ
 ECAD 7075 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W256GSH70ZS6E 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
N25Q008A11ESC40G Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40G -
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ N25Q008A11 フラッシュ - 1.7V〜2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 108 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 8ms、5ms
MT35XU512ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0AAT 10.5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCCBJ7-6C：c -
RFQ
 ECAD 3344 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 152-lbga MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT53D1024M32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX：d 7.1900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
M25P16-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P16-VMF3TPB TR -
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 ECAD 1477 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT：b -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
M29F080D70N6E Micron Technology Inc. M29F080D70N6E -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M29F080 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1m x 8 平行 70ns
MT53D384M32D2DS-053 XT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 XT：c -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4SB-046 XT：D TR -
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT25QU128ABB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB8E12-0AUT TR 4.3247
RFQ
 ECAD 4763 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37B：G TR -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ - - MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT41J128M8JP-15E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT41J128M8JP-15E AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41J128M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 128m x 8 平行 -
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 Micron Technology Inc. mt29pzzz4d4wketf-18 w.6e4 -
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29F32G08FAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08FAAWP：TR -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT48LC16M16A2BG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2BG-75：D TR -
RFQ
 ECAD 9656 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA （8x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
M29W064FB6AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W064FB6AZA6F TR -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
M25P16-VME6G Micron Technology Inc. M25P16-VME6G -
RFQ
 ECAD 6982 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,920 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT53B256M64D2NK-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL256HBA8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
M58LR128KB70ZB5F TR Micron Technology Inc. M58LR128KB70ZB5F TR -
RFQ
 ECAD 7105 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 56-VFBGA M58LR128 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
MT48LC2M32B2TG-55:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-55：G TR -
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 183 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
MT62F1G64D4EK-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-026 WT：c 68.0400
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1G64D4EK-026WT：c 1
EDB2432B4MA-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB2432B4MA-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB2432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,100 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
MT25QU128ABA8E54-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E54-0SIT TR 3.9000
RFQ
 ECAD 8010 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 15-XFBGA 、WLCSP MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 15-xfwlbga ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 IT：c -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない MT48LC64M8A2TG-75 IT：C-ND ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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