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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M32D2NP-046AAT：d | - |  | 3043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | mtfc16gakaejp-ait | - | | 7540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | M25PX80-VMN6TPZ1 TR | - | | 9841 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | MT48H8M32LFB5-75：H TR | - | | 1257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | M58WR032KB70ZB6W TR | - | | 4122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | M58WR032 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-VFBGA （7.7x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT48LC4M32B2P-6A：L | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 12ns | ||
 | MT45W2MW16BGB-701 IT | - | | 1805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W2MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT53D768M32D2DS-046 WT ES：A TR | - | | 7790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||||||||||
| EDBA164B2PR-1D-FR TR | - | | 9122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-VFBGA | EDBA164 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | |||
 | PC28F128P30B85E | - | | 3842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT41K128M16V89C3WC1 | 5.6000 | | 1259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||||||
 | MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR | - | | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28FW512 | フラッシュ - | 1.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 512mbit | 105 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| mtfc64gjtdn-it | - | | 2906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT46V32M16BN-75 IT：c | - | | 4018 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.8C TR | - | | 8774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT29F2G08ABAEAWP-E：E Tr | - | | 6217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | mtfc8glwdq-3l aiti z | - | | 4915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc8 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | mtfc8glwdq-3laitiz | 廃止 | 0000.00.0000 | 980 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| mt53e4d1aba-dc tr | 22.5000 | | 4923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1ABA-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
| M58LT128KST7ZA6F TR | - | | 2698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | mtfc8gamalbh-ait tr | 10.1550 | | 3894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT46H64M32LFBQ-48 IT：C Tr | 9.6750 | | 5878 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 14.4ns | ||
 | N25W128A11EF740F TR | - | | 4635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25W128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | - | ||||
 | mt28f400b3wg-8 t | - | | 9883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F400B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT29F64G08CBABAWP-IT：b | - | | 2823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | PC28F128P30B85D TR | - | | 6959 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | - | | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 162-VFBGA | MT29RZ4B2 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA（10.5x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 32（nand）、64m x 32（lpddr2） | 平行 | - | |||
| M25P10-AVMN3P/Y | - | | 3931 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P10 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT62F1536M64D8EK-023 FAAT：b | 94.8300 | | 3945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F256G08CJABAWP-IT：B TR | - | | 9831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29E3T08EUHBBM4-3：B TR | - | | 5411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29E3T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 3tbit | フラッシュ | 384g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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