画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F256G08EBHAFJ4-3R:a | - | ![]() | 3973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F2G08ABDHC-ET:D TR | - | ![]() | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR | - | ![]() | 7372 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | |||||
![]() | N25Q00AA13G1240F TR | - | ![]() | 7257 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-lbga | N25Q00AA13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-lpbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 256m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | mtfc128gaoanea-wt es | - | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | 箱 | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||||||||
![]() | MT41K512M8RH-125:e | - | ![]() | 4754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR | 8.5976 | ![]() | 5274 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | 確認されていません | ||
![]() | MT47H256M8EB-25E IT:c | - | ![]() | 6195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA (9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,320 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | M58LT128KSB7ZA6E | - | ![]() | 4649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | MT29F4G16ABCHC:C Tr | - | ![]() | 4267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | - | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Tr | - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC64M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT46V32M8P-5B L:M | - | ![]() | 6925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR | - | ![]() | 6408 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
![]() | MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR | - | ![]() | 5019 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | |||||||||
MT29F16G08ABACAWP-IT:c | - | ![]() | 9904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:b | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT53D1G64D8NW-062 WT:d | - | ![]() | 3786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53D1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||||||||
![]() | MT42L128M64D4LC-3それ:a | - | ![]() | 5527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 240-VFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 240-FBGA(14x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | |||||
![]() | MT40A512M8RH-075E:B TR | - | ![]() | 9458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
MT29F8G01ADBFD12-ITS:F | - | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT29F8G01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 8g x 1 | spi | - | ||||||
![]() | EDFP112A3PB-JDTJ-FD | - | ![]() | 6815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | |||||
![]() | MT49H16M36FM-25:B TR | - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT28F400B5WG-8 B TR | - | ![]() | 8115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | ||||
![]() | M25P80-VMN3PB | - | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | mt38w1011a90yzqxzi.xb8 | - | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,518 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CKCABK7-6:TR | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | - | - | MT29F512G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4-ITX:d | - | ![]() | 2212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | mtfc64gjvdn-3m wt tr | - | ![]() | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT25QL256ABA8ESF-0SIT | 5.9500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
![]() | RC28F256P33TFE | - | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -RC28F256P33TFE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 95ns |
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