SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R:a -
RFQ
ECAD 3973 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-Nand (TLC) 2.5V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABDHC-ET:D TR -
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA(10.5x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR -
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ECAD 7372 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
N25Q00AA13G1240F TR Micron Technology Inc. N25Q00AA13G1240F TR -
RFQ
ECAD 7257 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-lbga N25Q00AA13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-lpbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 256m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC128GAOANEA-WT ES Micron Technology Inc. mtfc128gaoanea-wt es -
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ 廃止 -25°C〜85°C(タタ MTFC128 フラッシュ -ナンド - - 1 (無制限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT41K512M8RH-125:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125:e -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR 8.5976
RFQ
ECAD 5274 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA MT28GU512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 - 確認されていません
MT47H256M8EB-25E IT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E IT:c -
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ECAD 6195 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA (9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,320 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
M58LT128KSB7ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB7ZA6E -
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ECAD 4649 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA M58LT128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-TBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
MT29F4G16ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC:C Tr -
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ECAD 4267 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA(10.5x13) - ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Tr -
RFQ
ECAD 4212 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 (72 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT46V32M8P-5B L:M Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B L:M -
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ECAD 6925 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AAT ES:D TR -
RFQ
ECAD 6408 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5 - 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR -
RFQ
ECAD 5019 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT53D2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT29F16G08ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-IT:c -
RFQ
ECAD 9904 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:b -
RFQ
ECAD 5211 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT53D1G64D8NW-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT:d -
RFQ
ECAD 3786 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT42L128M64D4LC-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LC-3それ:a -
RFQ
ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 240-VFBGA MT42L128M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 240-FBGA(14x14) - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT40A512M8RH-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E:B TR -
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12-ITS:F -
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga MT29F8G01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 8gbit フラッシュ 8g x 1 spi -
EDFP112A3PB-JDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-JDTJ-FD -
RFQ
ECAD 6815 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MT49H16M36FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-25:B TR -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT28F400B5WG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 B TR -
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ECAD 8115 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
M25P80-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P80-VMN3PB -
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ECAD 2229 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 Micron Technology Inc. mt38w1011a90yzqxzi.xb8 -
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,518
MT29F512G08CKCABK7-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABK7-6:TR -
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(タタ - - MT29F512G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-ITX:d -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MTFC64GJVDN-3M WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gjvdn-3m wt tr -
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT25QL256ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0SIT 5.9500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
RC28F256P33TFE Micron Technology Inc. RC28F256P33TFE -
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない -RC28F256P33TFE 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 16m x 16 平行 95ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫