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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MTFC8GACAALT-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GACAALT-4M IT -
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8gacaalt-4mit 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT58V512V32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V32FT-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 18mbit sram 512K x 32 平行 -
MT58L32L32PT-6 Micron Technology Inc. MT58L32L32PT-6 10.9700
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 166 MHz 揮発性 1mbit 3.5 ns sram 32K x 32 平行 -
MT57W512H36JF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-7.5 26.4100
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 500 PS sram 512K x 36 HSTL -
MT54V512H18EF-10 Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-10 19.2500
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT54V512 sram- クアッドポート、同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 9mbit sram 512K x 18 平行 -
MT57W1MH18CF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18CF-4 30.4500
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 450 PS sram 1m x 18 HSTL -
MT58L256L36DS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L36DS-6 8.5300
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L256L36 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
MT58L256L18F1T-10IT Micron Technology Inc. MT58L256L18F1T-10IT 6.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 18 平行 -
MT55V512V36PF-6 Micron Technology Inc. MT55V512V36PF-6 17.3600
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT55V512V sram- zbt 2.375V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT58L64L36PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L36PT-7.5 4.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 2mbit 4 ns sram 64k x 36 平行 -
MT57W2MH8CF-4 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-4 28.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 450 PS sram 2m x 8 HSTL -
MT58L128V36P1F-5 Micron Technology Inc. MT58L128V36P1F-5 7.7500
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 4mbit 2.8 ns sram 128k x 36 平行 -
MT55V512V32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT55V512V32PT-7.5 17.3600
RFQ
 ECAD 551 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT55V512V sram- zbt 2.375V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 512K x 32 平行 -
MT58L64L18FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18FT-8.5 5.4600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L18 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 1mbit 8.5 ns sram 64k x 18 平行 -
MT58L64L18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-7.5 8.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L18 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 1mbit 4.2 ns sram 64k x 18 平行 -
MT58L64L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L32FT-10 3.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L32 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 66 MHz 揮発性 2mbit 10 ns sram 64k x 32 平行 -
MT54V1MH18EF-7.5 Micron Technology Inc. MT54V1MH18EF-7.5 -
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 1m x 18 HSTL -
MT40A4G4DVN-068H:E Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H：e -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT40A4G4DVN-068H：e 廃止 210 1.467 GHz 揮発性 16gbit 27 ns ドラム 4g x 4 平行 -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT：e -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1,360
MTFC32GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-wt tr 14.3400
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR 2,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT：a 122.8500
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT：a 1 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
MT29F8T08EULCHD5-T:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-T：C Tr 167.8050
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-T：CTR 2,000
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT：b 55.3050
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT：b 1 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
MT62F1G32D2DS-026 WT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-026 WT：c 22.8450
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-026WT：c 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT53E1G32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT：a 22.0050
RFQ
 ECAD 9440 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1G32D2FW-046WT：a 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR Micron Technology Inc. mt29vzzzbdafqkwl-046 w.g0j tr 83.2350
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 254-BGA フラッシュnand、dram -lpddr4x - 254-MCP - 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR 2,000 2.133 GHz 不揮発性、揮発性 2tbit （nand ）、48gbit （lpddr4x） フラッシュ、ラム 256g x 8 UFS2.1 -
MTFC128GAXAUEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc128gaxauea-wt tr 14.0250
RFQ
 ECAD 5269 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GAXAUEA-WTTR 2,000
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046AAT：A TR 15.9600
RFQ
 ECAD 3441 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G16D1FW-046AAT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 1g x 16 平行 18ns
MT29F2T08GELCEJ4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QJ：c 39.0600
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ：c 1
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT：A TR 122.8500
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT：ATR 2,000 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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