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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
JS28F064M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F064M29EWLB TR -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808808ABABABAWP-AITX：B TR -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 AIT：C Tr 14.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 14.4ns
MTFC8GLVEA-1M WT TR Micron Technology Inc. mtfc8glvea-1m wt tr -
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT：B TR -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT：BTR 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MTFC128GAJAECE-AAT Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-aat -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 Micron Technology Inc. MT38Q50DEB10DBDXAU.Y74 21.4200
RFQ
 ECAD 4449 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ mt38q50 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,360
MT29F128G08AUCBBH3-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12：b -
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
EDW2032BBBG-50-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-50-FD -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,440 1.25 GHz 揮発性 2Gbit ラム 64m x 32 平行 -
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AUT：A TR -
RFQ
 ECAD 9486 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MTFC64GAOAMEA-WT Micron Technology Inc. MTFC64GAOAMEA-WT 21.1200
RFQ
 ECAD 8866 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ mtfc64 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520
M29W320DB70ZA3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70ZA3F TR -
RFQ
 ECAD 5741 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
PC28F512P30BF0 Micron Technology Inc. PC28F512P30BF0 -
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT62F512M32D2DS-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 AAT：b 17.4150
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F512M32D2DS-031AAT：b 1 3.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT25QL128ABA8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-0AAT -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC32GAKAEDQ-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaedq-aat tr -
RFQ
 ECAD 9738 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-lbga mtfc32g フラッシュ -ナンド - 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT48LC16M8A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2TG-75：G TR -
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 15ns
MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT：B TR 17.9550
RFQ
 ECAD 6735 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E1G32D2FW-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT48LC16M16A2P-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A：d -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A AIT：L -
RFQ
 ECAD 3640 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT41K1G8THE-15E:D Micron Technology Inc. mt41k1g8the-15e：d -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA（10.5x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AEEBBH6-12：B TR -
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F128G08AEEBBH6-12：BTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
M29F040B70K6 Micron Technology Inc. M29F040B70K6 -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M29F040 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 70ns
MT48LC4M32LFB5-10:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFB5-10：g -
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT47H512M4THN-25E:M Micron Technology Inc. mt47h512m4thn-25e：m -
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,518 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT28F320J3FS-11 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 GMET TR -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABK3-10Z：a -
RFQ
 ECAD 6676 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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