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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc128gaoanam-wt | - |  | 4466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | MTFC128 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||||
 | M25PX80-VMP6G | - | | 7561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT53B256M32D1NK-062 XT ES：C | - | | 1515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT41K1G4RH-125：e | - | | 3649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | ||
 | MT29F512G08CEHBBJ4-3R：b | - | | 5231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
 | JS28F640J3D75D TR | - | | 8530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F640J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | MT29F16G08AJADAWP：D Tr | - | | 7397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT55L256L32FT-12IT | 17.3600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | 揮発性 | 8mbit | 9 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
 | mt35xu256aba1g12-0aut tr | 7.3500 | | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT35XU256ABA1G12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||
| mtfc128gasaqjp-aat tr | 57.1950 | | 8045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC128GASAQJP-AATTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT44K32M18RB-107E：B TR | 46.0350 | | 4068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M18 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | RC28F128P30TF65A | - | | 5863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 65 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 65ns | ||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L | 2.6600 | | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT53E1G32D2NP-046 WT：a | - | | 5645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E1G32D2NP-046WT：a | 廃止 | 136 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
 | M25PX16STVZM6TP TR | - | | 8644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | M25PX16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tbga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | MT61M256M32JE-10 AAT：A TR | - | | 4270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 180-tfbga | MT61M256 | sgram -gddr6 | 1.21V〜1.29V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.25 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES：C TR | 90.4650 | | 6658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES：CTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | M25P40-VMN6ypb | - | | 2169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 280 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT53E2G32D4DT-046 AAT：a | 63.1350 | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E2G32D4DT-046AAT：a | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||
| MT49H16M36BM-25：a | - | | 1236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
 | MT29F4G01ABBFDWB-ITS：F TR | - | | 1091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F4G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 8-updfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||
| MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 揮発性 | 1mbit | 8.5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | |||
 | MT29F256G08APEDBJ6-12：d | - | | 7503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.5V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F32G08CBCDBJ4-10：d | - | | 4004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48H16M32LFB5-75 IT：c | - | | 4652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53B256M16D1Z00MWC1S | 10.4800 | | 5744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H64M16NF-25E AUT：M | - | | 6043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
| MT29F4G01ABBFDWB-ITS：F | - | | 6822 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F4G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 8-updfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 83 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||
| MT29F4G08888ABAFAWP-IT：f | 4.2200 | | 933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F2G01ABAGDWB-IT：G TR | 2.8500 | | 712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-updfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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