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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. mt29f1g01abafdwb-it：f tr 3.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
M25PX16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6G -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO w ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,800 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT48LC8M32B2F5-7 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2FFF5-7 TR -
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
 ECAD 7681 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT35XU02GCBA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0AAT 42.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR：e 45.0150
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT41K128M16HA-15E:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-15E：d -
RFQ
 ECAD 4380 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT41K128M16JT-107 IT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT：k 4.5806
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc. MT53D512M16D1Z11MWC2 14.9600
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 Micron Technology Inc. * バルク アクティブ MT53D512 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1
RC28F256J3D95A Micron Technology Inc. RC28F256J3D95A -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT49H16M18CBM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
M25P64-VMF6G Micron Technology Inc. M25P64-VMF6G -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 50 50 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
MT58L128V36P1F-5 Micron Technology Inc. MT58L128V36P1F-5 7.7500
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-標準 3.135V〜3.6V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 4mbit 2.8 ns sram 128k x 36 平行 -
MT29F128G08AMCDBL1-6:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBL1-6：D TR -
RFQ
 ECAD 7343 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F4T08GMLBEJ4:B Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLBEJ4：b -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F4T08GMLBEJ4：b 廃止 1,120 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT53E2D1BFW-DC Micron Technology Inc. mt53e2d1bfw-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2D1BFW-DC 1,360
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT：G TR -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT62F1536M64D8EK-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026AAT：B TR 94.8300
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 - -
MT28F800B3WG-9 B TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 B TR -
RFQ
 ECAD 2674 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR -
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 ECAD 7975 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MT29RZ4C8 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D Micron Technology Inc. MT29F128G08AMEDBJ5-12：d -
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAEAKC-6 IT -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 107-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 107-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECDBJ4-10：D TR -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT：H TR -
RFQ
 ECAD 6979 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F128G08CECGBJ4-37R:G Micron Technology Inc. MT29F128G08CECGBJ4-37R：g -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
PN28F256M29EWHA Micron Technology Inc. PN28F256M29EWHA -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - PN28F256M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,560 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AAT：P Tr 9.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37：B TR -
RFQ
 ECAD 7421 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F768G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT42L256M32D2LG-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LG-25 WT：a -
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga MT42L256M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 400 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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