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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT25QU128ABA8E14-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-1SIT -
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NH-062 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 4630 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 272-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 272-WFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
M29W010B70N6F TR Micron Technology Inc. M29W010B70N6F TR -
RFQ
 ECAD 5277 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W010 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 1mbit 70 ns フラッシュ 128k x 8 平行 70ns
NAND512R3A2SN6E Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6E -
RFQ
 ECAD 1676 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AIT：C Tr -
RFQ
 ECAD 5520 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT29F512G08CFCBBWP-10:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10：b -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 960 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
EDBA164B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA164B2PF-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDBA164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT46V32M16P-6T L IT:F Micron Technology Inc. mt46v32m16p-6t l it：f -
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT45W1MW16BDGB-701 WT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-701 WT TR -
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W1MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFCK-5 L IT：A TR -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H64M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
M29F200FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F200FT55M3E2 -
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F200 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 40 不揮発性 2mbit 55 ns フラッシュ 256K x 8、128K x 16 平行 55ns
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QB：e 52.9800
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB：e 1
MT35XU01GBBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA1G12-0AAT -
RFQ
 ECAD 7795 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT47H256M4HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-3：E TR -
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT41K512M8DA-125:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-125：p -
RFQ
 ECAD 6238 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 800 MHz 揮発性 4gbit 13.5 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT46V64M8BN-6 IT:F Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-6 it：f -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT48V4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc. mt48v4m32lff5-8：g -
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT41K1G4RG-107:N TR Micron Technology Inc. MT41K1G4RG-107：N TR -
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 1g x 4 平行 -
MTFC64GAXAQEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gaxaqea-wt tr 7.5600
RFQ
 ECAD 1846年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC64GAXAQEA-WTTR 2,000
MT41K256M8DA-125 IT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT：k -
RFQ
 ECAD 2580 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,440 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
M29W800DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 6169 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37：b -
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37B：e -
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
EMFM432A1PH-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFM432A1PH-DV-FD -
RFQ
 ECAD 2187 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ EMFM432 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,680
MT28F400B3WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT44K32M18RB-125E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-125E IT：A TR -
RFQ
 ECAD 1956年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 800 MHz 揮発性 576mbit 10 ns ドラム 32m x 18 平行 -
RC28F256P30TFF TR Micron Technology Inc. RC28F256P30TFF TR -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,000 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT44K16M36RB-093E IT:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E IT：a -
RFQ
 ECAD 1540 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
TE28F128P33T85A Micron Technology Inc. TE28F128P33T85A -
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F128p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
M29W640GB7AN6E Micron Technology Inc. M29W640GB7AN6E -
RFQ
 ECAD 4234 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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