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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F1T08CQCCBG2-6C：c | - |  | 7846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 272-LFBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 272-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 AAT：B TR | 63.8550 | | 6049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023AAT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F4G08ABBDAH4：d | 4.0428 | | 2512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR | 20.2200 | | 2110 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 149-VFBGA | フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-VFBGA （8x9.5） | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR | 2,000 | 不揮発性、揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 1g x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
| MT47H64M16HR-3 L：H TR | - | | 9120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X | 40.8150 | | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A2G8NRE-083E：b | - | | 5313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （8x12） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,140 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC32M16A2P-75 L：c | - | | 3615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC32M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F16G08888ABABAWP：B TR | - | | 4285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
 | M25P80-VMN6TP TR | - | | 6444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| MT52L8DBQC-DC | - | | 8387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L8 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53B256M64D2TP-062 L XT：C | - | | 4087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,120 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT41K128M16JT-125 AAT：k | - | | 4302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT29F1G16ABBEAMD-IT：e | - | | 6194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | |||||
 | MT48LC8M16LFF4-75 IT：G TR | - | | 1769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| M25P10-AVMN6P | - | | 4553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P10 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| mt53b4dbdt-dc | - | | 9040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | 廃止 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||||||||
 | mt46v64m8p-5b：f | - | | 6242 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT41K256M16TW-107 XIT：P Tr | 10.6400 | | 12 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
| MT46V16M16P-5B IT：M Tr | - | | 1570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| EDF8164A3MC-GD-FR | - | | 1356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | |||||
 | MT29F4G16ABADAWP-IT：D TR | - | | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT53B128M32D1DS-062 AIT：A TR | - | | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | |||
 | PC28F512P33EF0 | - | | 4194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 95ns | ||
 | mtfc16gakaecn-5m ait | - | | 2516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT46V32M16FN-5B：c | - | | 6386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53D512M32D2NP-046 WT ES：D | - | | 2275 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||
| MT53D768M64D4SQ-053 WT ES：A TR | - | | 8332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||||
| MT41J512M4HX-125：d | - | | 4823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J512M4 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 4 | 平行 | - | ||
| MT52L256M64D2QB-125 XT ES：b | - | | 9984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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