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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K1G8TRF-107：E TR | - |  | 4950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9.5x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||
| MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 | 27.4375 | | 8446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 | 1,520 | |||||||||||||||||||||
 | MT28EW256ABA1HPC-0SIT | 9.0300 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 256mbit | 75 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| M29W128GL60ZA6E | - | | 3961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
| MT53E4D1BSQ-DC | 22.5000 | | 9011 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1BSQ-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT58V512V32FT-7.5 | 18.7900 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 32 | 平行 | - | |||||
| MT40A512M8RH-075E AIT：B TR | - | | 2289 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT40A4G4DVN-068H：e | - | | 8206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A4G4DVN-068H：e | 廃止 | 210 | 1.467 GHz | 揮発性 | 16gbit | 27 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | |||
 | EDB8132B4PM-1DAT-FD | - | | 3667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 168-wfbga | EDB8132 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 533 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||
| mt29c2g48maklcji-6それ | - | | 7537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C2G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） | フラッシュ、ラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES：D TR | - | | 8753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
| MT29F4T08EQLEEG8-QD：e | 105.9600 | | 1875年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT41K512M8DA-093：P Tr | 5.2703 | | 1463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT41K512M8DA-093：PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
 | mtfc64gapalbh-it | - | | 8346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT53E1G64D4NZ-046 WT：C TR | 42.4500 | | 6338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 376-WFBGA（14x14） | ダウンロード | 557-MT53E1G64D4NZ-046WT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
| M29F400FT5AM62 | - | | 7474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 240 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | JS28F512P33BFD | - | | 2334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F512p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 105 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 105ns | ||
| N25Q032A13EF440E | - | | 1691 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-PDFN（3x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT47H32M16HR-25E AIT：G TR | - | | 9621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | RC28F128P33TF60A | - | | 9910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT53B256M32D1NP-062 AIT：c | - | | 9116 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
 | MT29F2G08ABAEAH4-E：E TR | - | | 4211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
| JS28F512M29EWH0 | - | | 3576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F512M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 110ns | |||
| MT29F2G08ABBEAHC：e | - | | 1730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53B384M64D4EZ-062 WT：B TR | - | | 6517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
| M28W640HST70ZA6E | - | | 9518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TFBGA | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TFBGA（10.5x6.39） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | M25PX16-VZM6P | - | | 5009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | M25PX16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tbga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT29F4G08ABBDAHC-IT：D TR | 5.9300 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | N25Q032A13EF840F TR | - | | 6497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT48H8M32LFF5-10 | - | | 6588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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