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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT61M256M32JE-12 AAT：a | - |  | 3865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 180-tfbga | MT61M256 | sgram -gddr6 | 1.21V〜1.29V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 AIT：a | 14.5050 | | 6586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G16D1FW-046AIT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns | |||||||
 | N25Q128A13ESFH0E | - | | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT47H64M16NF-187E：m | - | | 9635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,368 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E512M64D4NK-046 WT：d | - | | 6171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E512M64D4NK-046WT：d | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||
 | MT29F64G08CFACAWP-Z：c | - | | 7885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT44K32M18RB-107E：B TR | 46.0350 | | 4068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M18 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
 | MT29F512G08CEHBBJ4-3R：b | - | | 5231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT61M256M32JE-10 AAT：A TR | - | | 4270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 180-tfbga | MT61M256 | sgram -gddr6 | 1.21V〜1.29V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.25 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT58L64L18FT-8.5TR | 9.1100 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 揮発性 | 1mbit | 8.5 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | |||
 | MT29F256G08APEDBJ6-12：d | - | | 7503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.5V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F32G08CBCDBJ4-10：d | - | | 4004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc128gasaqjp-aat tr | 57.1950 | | 8045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC128GASAQJP-AATTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MT29F16G08AJADAWP：D Tr | - | | 7397 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT49H16M36BM-25：a | - | | 1236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
| MT55L256L32FT-12IT | 17.3600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | 揮発性 | 8mbit | 9 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | |||
 | M25PX16STVZM6TP TR | - | | 8644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | M25PX16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tbga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L | 2.6600 | | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES：C TR | 90.4650 | | 6658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES：CTR | 2,000 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | RC28F128P30TF65A | - | | 5863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 65 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 65ns | ||
| M29W320DB7AN6E | - | | 1730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | PC28F128M29EWHF | - | | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT53E1G32D2FW-046 AUT：B TR | 37.9050 | | 8089 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AUT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT29F1G08ABCHC：C Tr | - | | 2427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT41K256M4DA-107：J | - | | 1499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 4 | 平行 | - | ||
| mt29kzzz4d4agfak-5 w.6z4 tr | - | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT53B384M32D2DS-062 AIT：B TR | - | | 1305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
| MT29F8T08GULCEM4：C Tr | 156.3000 | | 2767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| M28W160FST70ZA6E | - | | 1141 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | M28W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| TE28F160C3BD70A | - | | 7002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F160C3 | フラッシュ -ブートブロック | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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