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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 18.3750 |  | 8592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-VFBGA | フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-VFBGA （8x9.5） | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 1 | 不揮発性、揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 1g x 8 | onfi | 30ns | |||||||||
| MT62F1536M64D8EK-023 AIT：B TR | 86.2050 | | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT：BTR | 1,500 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | |||||||||
| mt29f4t08euleem4-qa：e tr | 105.9600 | | 8564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QA：ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 AIT：a | 14.5050 | | 6586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G16D1FW-046AIT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns | ||||||||
| MT62F1536M64D8EK-026AAT：B TR | 94.8300 | | 2637 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | - | - | |||||||||
| mtfc32gasaons-it tr | 20.8050 | | 2712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC32GASAONS-ITTR | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||||
| MT29F2G01ABAGD12-AUT：g | 3.2005 | | 6152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2G01ABAGD12-AUT：g | 1 | ||||||||||||||||||||||
| mt29vzzzad9gufsm-046 w.213 tr | 17.0762 | | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D2NP-046 WT：F TR | - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D2NP-046WT：FTR | 廃止 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||
| mt53e4d1aba-dc tr | 22.5000 | | 4923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1ABA-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT40A8G4CLU-075H：e | - | | 9601 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | 557-MT40A8G4CLU-075H：e | 廃止 | 8542.32.0071 | 210 | 1.33 GHz | 不揮発性 | 32gbit | 27 ns | ドラム | 8g x 4 | 平行 | - | |||||
| mt53e2dbds-dc tr | 22.5000 | | 9307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e2 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2DBDS-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT：g | 2.7962 | | 6625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F2G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：g | 8542.32.0071 | 1,122 | 83 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | 確認されていません | |||
| mtfc32gapalgt-ait | - | | 3412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC32GAPALGT-AIT | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||||
| mt53e1dbds-dc tr | 22.5000 | | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e1 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT41K1G4RG-107：N TR | - | | 9553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | |||
| MT53D512M64D4RQ-053 WT：E TR | 49.0500 | | 3306 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 556-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT29F64G08CBCBBH1-10：b | - | | 2077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F1536M64D8EK-023 FAAT：b | 94.8300 | | 3945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | |||||||||
 | MTFC32GAKAEJP-5M AIT | - | | 1324 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||||||
 | MT40A2G4SA-075 C：e | - | | 5780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A2G4SA-075C：e | 廃止 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | 15ns | ||||
 | mtfc16gakaena-4m it | - | | 5346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | M29W256GH70ZA6F TR | - | | 6856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
 | M28W320FCB70ZB6E | - | | 1695 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 47-TFBGA | M28W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 47-TFBGA （6.39x6.37 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,380 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
 | MT58L128V32P1T-10 | 7.5200 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L128V32 | sram | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
 | MT29F128G08AMCABH2-10Z：a | - | | 1542 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-tbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| mt40a512m16ly-062e at：e | - | | 9421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | - | 96-FBGA （7.5x13.5） | - | 557-MT40A512M16LY-062EAT：e | 廃止 | 8542.32.0071 | 180 | 1.6 GHz | 不揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | - | - | ||||||
 | mt29f4g01aaaddhc：d | - | | 6920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | |||||
| MT41K256M16HA-125 XIT：E TR | - | | 9742 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT53E512M32D2FW-046 AUT：d | - | | 4416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT：d | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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