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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29E2T08CTCBBJ7-6：B TR | - |  | 2726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29E2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT28F008B5VG-8 B TR | - | | 7280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F008B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 80ns | |||
 | MT53E4DADT-DC | 22.5000 | | 1540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E4DADT-DC | 1,360 | ||||||||||||||||||
 | MT48LC32M8A2P-75 IT：d | - | | 4244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES：B Tr | - | | 5844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | |||
| MT41J256M16HA-125：E Tr | - | | 7041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
 | mtfc16gakaecn-ait | - | | 1987年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT53D512M32D2NP-046 WT：D TR | - | | 4028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT46H16M32LFCM-5 IT：b | - | | 5861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | JS28F640J3D75D TR | - | | 8530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F640J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
| MT41K1G4RH-125：e | - | | 3649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | ||
 | MT41K512M8RH-125 AIT：E TR | - | | 3050 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：F TR | 8.4150 | | 1181 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||
| MT48LC16M16A2B4-7E IT：G TR | 6.0918 | | 2717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 14ns | ||
| MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D TR | 33.7950 | | 1054 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22DTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53E768M64D4HJ-046AAT：B TR | 47.8950 | | 6241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT46H64M32LFCX-48 WT：b | - | | 7049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 14.4ns | |||
 | MT29F2G08ABAEAH4-IT：e | - | | 1690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
| MT49H64M9FM-25E：B Tr | - | | 3964 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H64M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
| MT29F4G01ABBFD12-AUT：f | 4.2603 | | 6955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4G01ABBFD12-AUT：F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT25QU128ABB8ESF-0AUT | 5.9500 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-sop2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT25QU128ABB8ESF-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
 | MT40A4G4FSE-083E：TR | - | | 3196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | |||
| M36W0R6050B4ZAQF TR | - | | 3803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | M36W0R6050 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | |||||||||||||||||
| MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q | - | | 4014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 221-WFBGA | mt29tzzz8 | フラッシュnand、dram -lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 221-wfbga（13x11.5 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 933 MHz | 不揮発性、揮発性 | 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） | フラッシュ、ラム | 68g x 8 | MMC 、LPDRAM | - | ||||
| M28W320HST70ZA6E | - | | 1753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M28W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT29F4G08AACHC：C Tr | - | | 3384 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT40A512M16JY-062E：b | - | | 5536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
| mt53d4dany-dc tr | - | | 7245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | mt53d4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||
| MT53B384M16D1NK-062 WT ES：b | - | | 3629 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 6gbit | ドラム | 384m x 16 | - | - | |||||
 | MT29F64G08AJABAWP-IT：b | - | | 1892年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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