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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53B512M64D4TX-053 WT ES：C TR | - |  | 9887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT25QL256ABA1EW9-0SIT | 5.9500 | | 50 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| M58LR256KB70ZC5Z | - | | 9144 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 79-VFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 79-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -M58LR256KB70ZC5Z | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,740 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | |
| mtfc64ganalam-wt | - | | 6411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | - | - | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT53E256M32D2FW-046 WT：B TR | 11.6400 | | 9792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E256M32D2FW-046WT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT53E2G32D4DE-046 WT：c | 42.4500 | | 7309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E2G32D4DE-046WT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 2g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c | - | | 6774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29F200FT55N3F2 TR | - | | 7685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 2mbit | 55 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES：a | - | | 8138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
| MT53B512M32D2GZ-062 AIT：b | - | | 1767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （11x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT41K256M16RE-15E IT：d | - | | 3674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.5 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F1G08ABAEAWP-IT：E TR | 3.2000 | | 23 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT47H64M16HR-25 IT：h | - | | 6348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c | 242.1750 | | 9688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT28GU256AAA2EGC-0SIT | - | | 5204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | MT28GU256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA （10x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | ||
| MT62F768M64D4EK-023 AIT：B TR | 43.5300 | | 3305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
 | MT53E512M64D2HJ-046 WT：B TR | 26.1150 | | 4853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT53E512M64D2HJ-046WT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 64 | 平行 | 18ns | ||||
 | JS28F256J3D95B TR | - | | 2356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
| MT47H256M4CF-3：H TR | - | | 9708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | |||
| NP8P128AE3T1760E | - | | 5927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMN EO™ | チューブ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 64-TBGA | NP8P128A | PCM （プラム） | 2.7V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性 | 128mbit | 135 ns | PCM （プラム） | 16m x 8 | 平行、 spi | 135ns | ||||
 | MT28EW128ABA1HPC-0SIT | 7.7300 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 128mbit | 95 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | N25Q512A13GSF40F TR | - | | 7606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT41K512M16HA-125：TR | - | | 3887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
| JS28F00AP30EFA | - | | 5564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F00AP30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 110ns | ||
 | M29F800DT55N1 | - | | 9307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | MT40A2G8FSE-083E：TR | - | | 3596 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 2g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT41J64M16TW-093：J TR | - | | 1336 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
| N25Q032A13ESFH0F TR | - | | 1968年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | N25Q064A13ESE40E | - | | 9138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | M25P16-VMP6TG TR | - | | 1911年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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